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一种提升SIC MOSFET可靠性的驱动方法及电路

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本发明公开一种提升SIC MOSFET可靠性的驱动方法及电路，可以根据负载情况（电流大小），调整SIC MOSFET管驱动电压，设定负载电流判断临界值，用于防止系统误判，提高判断准确性。本发明适用于所有SIC MOSFET的电源方案，通过软硬件结合方式，完全解决掉SIC MOSFET驱动电压应力安全范围较窄易失效的问题，提升产品可靠性。

著录项

公开/公告号CN112491252A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-03-12

原文格式PDF
申请/专利权人深圳市永联科技股份有限公司;
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申请/专利号CN202011603609.X
发明设计人陈小平;李晨光;张海东;付加友;宫兆星;朱建国;
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申请日2020-12-30
分类号H02M1/08(20060101);H02M7/217(20060101);
代理机构11394 北京卓恒知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人唐曙晖
地址 518116 广东省深圳市龙岗区宝龙街道宝龙社区宝龙七路二号尚景楼604
入库时间 2023-06-19 10:11:51

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2023-03-24

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H02M 1/08 专利申请号:202011603609X 申请公布日:20210312

发明专利申请公布后的驳回

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