高可靠性SiC MOSFET驱动电路的设计

目录

声明

第一章绪论

1.1 课题研究背景及其意义

1.2 SiC MOSFET 现状及发展趋势

1.3 SiC MOSFET 驱动技术发展现状

1.4 论文的主要研究工作和结构安排

第二章 SiC MOSFET的基本特性

2.1 碳化硅材料与硅材料参数对比

2.2 SiC MOSFET 阈值电压

2.3 SiC MOSFET 导通电阻

2.4 SiC MOSFET Ⅰ-Ⅴ 特性曲线

2.5 SiC MOSFET 内部栅极电阻

2.6 SiC MOSFET 栅极电荷

2.7 SiC MOSFET 开关特性

2.8 SiC MOSFET 的寄生参数及其影响

2.9 本章小结

第三章 SiC MOSFET驱动技术概述

3.1 防串扰功能

3.1.1 有源密勒钳位技术

3.1.2 多电平驱动技术

3.2 欠压保护功能

3.3 过流保护功能

3.3.1 SENSEFET 电流采样过流保护功能

3.3.2 寄生电感采样过流保护功能

3.3.3 去饱和过流保护功能

3.4 过温保护功能

3.5 本章小节

第四章高可靠性SiC MOSFET驱动电路设计

4.1 具有大驱动能力及密勒钳位功能的驱动级模块设计

4.1.1 具有大驱动能力及密勒钳位功能的驱动级模块结构设计

4.1.2 具有大驱动能力及密勒钳位功能的驱动级模块电路设计

4.1.3 相对电源轨产生电路（RAIL generator）设计

4.1.4 瞬态增强电路（TRAN_DRV）设计

4.1.5 延时单元设计

4.1.6 防串通电路设计

4.1.7 电平位移模块及整形比较器模块电路设计

4.2 去饱和过流检测模块设计

4.2.1 去饱和过流检测模块结构设计

4.2.2 去饱和过流检测模块电路设计

4.2.3 过流检测模块内具体电路设计

4.3 欠压锁定模块设计

4.3.1 欠压锁定模块结构设计

4.3.2 VREFH及VREFL产生电路设计

4.4 过温保护模块

4.4.1 过温保护模块结构设计

4.4.2 CLAMP_OTP及CMP_OTP具体电路图

4.5 本章小节

第五章高可靠性SiC MOSFET驱动电路仿真与实验验证

5.1.1 整体驱动级模块仿真验证

5.1.2 电源轨产生模块仿真验证

5.1.3 瞬态增强模块及各延时模块仿真验证

5.1.4 H-Anti-punch-through 及L-Anti-punch-through 仿真验证

5.1.5 电平位移模块仿真验证

5.1.6 双脉冲测试仿真验证

5.2.1 去饱和过流检测模块整体功能验证

5.2.2 LEB 模块仿真验证

5.2.3 动态下拉电阻防串通驱动电路仿真验证

5.3 欠压保护模块仿真与实验验证

5.4 过温保护电路仿真与实验验证

5.5 本章小节

第六章芯片版图设计

第七章总结与展望

致谢

参考文献

攻读博士学位期间取得的成果