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SiC MOSFET驱动电路研究与设计

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第一章 绪论

1.1 课题研究背景及意义

1.2 国内外研究现状

1.3 本文主要研究内容

第二章 SiC MOSFET基本特性研究及驱动电路设计

2.1 SiC MOSFET基本特性

2.2 驱动电路设计

2.3 双脉冲测试实验

2.4 本章小结

第三章 SiC MOSFET器件开关过程尖峰与振荡问题研究

3.1 SiC MOSFET器件开关过程尖峰与振荡问题产生原理分析

3.2 电压电流尖峰、振荡问题的抑制方法

3.3 改进驱动电路抑制方法

3.4 本章小结

第四章 桥式电路串扰问题研究

4.1 串扰问题原理分析

4.2 串扰问题的抑制方法

4.3 改进有源驱动电路抑制方法

4.4 本章小结

第五章 驱动电路优化后实验验证

5.1 抑制电压电流尖峰、振荡性能验证

5.2 抑制串扰性能验证

5.3 同步Buck变换器样机制作

5.4 本章小结

第六章 总结与展望

1、工作总结

2、工作展望

参考文献

发表论文和参加科研情况

致谢

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著录项

  • 作者

    王文月;

  • 作者单位

    天津工业大学;

  • 授予单位 天津工业大学;
  • 学科 电气工程
  • 授予学位 硕士
  • 导师姓名 顾而丹,朱晓辉;
  • 年度 2021
  • 页码
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 TQ3TQ1;
  • 关键词

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