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一种多孔硅纳米线及其制备方法

摘要

本发明公开了一种多孔硅纳米线及其制备方法。本发明的目的在于开发一种新的多孔硅纳米线制备方法,本发明利用厘米尺寸的硅圆片,高度氧化刻蚀,制备出数千个纳米线,极大地降低材料成本;同时制备的硅纳米线表面覆盖SiO2层,具有亲水性,并且其多孔性和一维特征,有利于提高小分子代谢物与增大比表面积间相互作用,可作为一种独特的基质,用于基质辅助激光解吸电离飞行时间质谱仪,高度灵敏地对血清中小分子代谢物进行定量分析和检测,实现临床上对癌症的精准诊断和分类。

著录项

  • 公开/公告号CN112458539A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-03-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 四川大学;

    申请/专利号CN202011007261.8

  • 发明设计人 王云兵;张华;杨立;

    申请日2020-09-23

  • 分类号C30B33/10(20060101);C30B29/06(20060101);C30B29/60(20060101);C23F1/24(20060101);C11D1/29(20060101);C11D3/22(20060101);C11D3/04(20060101);C11D3/60(20060101);B82Y15/00(20110101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构11870 北京正华智诚专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人何凡

  • 地址 610064 四川省成都市武侯区一环路南一段24号

  • 入库时间 2023-06-19 10:10:17

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-06-03

    专利申请权的转移 IPC(主分类):C30B33/10 专利申请号:2020110072618 登记生效日:20220520 变更事项:申请人 变更前权利人:四川大学 变更后权利人:张华 变更事项:地址 变更前权利人:610064 四川省成都市武侯区一环路南一段24号 变更后权利人:200040 上海市静安区灵石路1123弄20号506-507室

    专利申请权、专利权的转移

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