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公开/公告号CN112462470A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-03-09
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;
申请/专利号CN202011167383.3
发明设计人 唐波;张鹏;杨妍;李志华;刘若男;李彬;黄凯;谢玲;王文武;
申请日2020-10-27
分类号G02B6/136(20060101);G02B6/13(20060101);G02B6/12(20060101);
代理机构11619 北京辰权知识产权代理有限公司;
代理人金铭
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
入库时间 2023-06-19 10:08:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-10-04
授权
发明专利权授予
机译: 光子器件,用于制造光子器件的基板,用于制造光子器件的方法以及用于制造光子器件的基板的方法
机译: 光子器件,用于制造光子器件的衬底,用于制造光子器件的方法以及用于制造光子器件的衬底的方法
机译:欧洲材料研究协会(EMRS)硅基纳米材料和纳米器件中的传输和光子学研讨会-2月5日至9月13日
机译:Ge-on-Si,用于硅基集成材料和光子器件
机译:通过设计者分子路线的新型硅基光子材料和器件架构
机译:硅基光子器件的高效功率传输
机译:在电子和光子器件应用的硅基板上MOCVD生长的InP和相关薄膜。
机译:利用低阶自适应光学器件进行GRIN物镜像差校正的多光子荧光显微镜
机译:基于溶胶凝胶和硅的光子器件。 您溶胶凝胶和硅基光子器件
机译:纳米半导体光子器件中的光发射和能量转移