碳化硅衬底、晶锭及其制备方法

摘要

本申请涉及一种碳化硅衬底、晶锭及其制备方法，属于半导体材料领域。所述碳化硅衬底包含氮元素，所述碳化硅衬底具有六边形色斑的密度小于0.3个平方厘米，形成所述六边形色斑的边部垂直于方向。本申请发现一种含氮的碳化硅衬底中存在的新型缺陷即六边形色斑，该六边形色斑的颜色不同与碳化硅主体区域的颜色，但与平面六边形空隙缺陷不同并不是六边形的空洞，六边形色斑会使得碳化硅衬底的电阻率不均匀，会严重影响碳化硅衬底制得的半导体器件的电学性能，如使得在碳化硅衬底上做的器件失效，因此本申请提供了一种包含六边形色斑密度少的碳化硅衬底和碳化硅晶锭。