公开/公告号CN112466949A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-03-09
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;
申请/专利号CN202011358006.8
申请日2020-11-27
分类号H01L29/78(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/36(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构11302 北京华沛德权律师事务所;
代理人房德权
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
入库时间 2023-06-19 10:08:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-04-18
授权
发明专利权授予
机译: 边缘结构和漂移区域用于结型沟槽MOSFET,二极管,IGBT或碳化硅JFET,包括连接在有源区下方并浮在其他位置的多层嵌入式区域
机译: 一种用于提高性能,降低MOSFET的nbti(负温度插入能力)的方法和结构
机译: 一种n型PbTe:Ni掺杂合金的制备方法