法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-10-14
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C09K13/08 专利号:ZL2020111810313 变更事项:专利权人 变更前:湖北兴福电子材料有限公司 变更后:湖北兴福电子材料股份有限公司 变更事项:地址 变更前:443007 湖北省宜昌市猇亭区猇亭大道66-3号 变更后:443007 湖北省宜昌市猇亭区猇亭大道66-3号
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
机译: 相对于沉积的氧化物,热生长的氧化物和氮化物中的至少一种选择性地刻蚀多晶硅的方法,以及相对于BPSG选择性地刻蚀多晶硅的方法
机译: 蚀刻液。基于铁氰化钾和苏打水-用于选择性去除光致漆或金属薄膜。通过气相沉积,特别是在制造。薄膜电路
机译: 一种改进的沉积和平面化BPSG薄膜的方法