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一种低选择性的BPSG和PETEOS薄膜的蚀刻液

摘要

本发明公开了一种低选择性的BPSG和PETEOS薄膜的蚀刻液,主要成分包括氢氟酸、有机溶剂、含氟化合物、胺类。本发明的蚀刻液中氢氟酸用于蚀刻BPSG和PETEOS薄膜;有机溶剂用于降低蚀刻液对BPSG和PETEOS薄膜的蚀刻速率,使蚀刻反应易于控制;含氟化合物作为氟离子缓释剂,提供氟离子,稳定蚀刻液的蚀刻速率和延长蚀刻液的使用寿命;胺类用于降低BPSG薄膜的蚀刻速率,使BPSG和PETEOS薄膜的蚀刻速率选择比接近于1。本发明所述的蚀刻液能够使BPSG和PETEOS薄膜的蚀刻速率选择比稳定在1.1±0.2。

著录项

  • 公开/公告号CN112410036A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-02-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 湖北兴福电子材料有限公司;

    申请/专利号CN202011181031.3

  • 申请日2020-10-29

  • 分类号C09K13/08(20060101);C09K13/10(20060101);H01L21/311(20060101);

  • 代理机构42103 宜昌市三峡专利事务所;

  • 代理人成钢

  • 地址 443007 湖北省宜昌市猇亭区猇亭大道66-3号

  • 入库时间 2023-06-19 10:02:03

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-10-14

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C09K13/08 专利号:ZL2020111810313 变更事项:专利权人 变更前:湖北兴福电子材料有限公司 变更后:湖北兴福电子材料股份有限公司 变更事项:地址 变更前:443007 湖北省宜昌市猇亭区猇亭大道66-3号 变更后:443007 湖北省宜昌市猇亭区猇亭大道66-3号

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

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