QD-miniLED发光器件制作方法及QD-miniLED发光器件

摘要

本申请公开了一种QD‑miniLED发光器件制作方法及QD‑miniLED发光器件。该QD‑miniLED发光器件制作方法包括以下步骤：对多个第一miniLED单体的表面进行超疏水化处理，得到多个第二miniLED单体；将所述多个第二miniLED单体转移到TFT阵列基板上，所述多个第二miniLED单体在所述TFT阵列基板上间隔分布；在所述TFT阵列基板上的多个第二miniLED单体的间隙内填充遮光材料层；将所述TFT阵列基板与设置有像素化的量子点基板对组贴合，得到QD‑miniLED发光器件。本申请实施例提供的QD‑miniLED发光器件制作方法通过在miniLED单体的表面进行超疏水化处理，从而降低miniLED单体的表面的浸润性，从而可以避免后续进行遮光材料层的涂布时，遮光材料层在miniLED单体的发光面残留，从而可以提高QD‑miniLED发光器的质量，降低不良率。