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一种DRAM的低功耗模式的实现方法及终端

摘要

本发明公开一种DRAM的低功耗模式的实现方法及终端,确定对所述DRAM进行数据访问的应用类型;根据所述应用类型配置对应的低功耗模式的控制策略;能够根据不同应用类型的不同访问类型配置对应的低功耗模式的控制策略,针对不同应用类型的数据访问特点配置相适配的低功耗模式的控制策略,使得针对不同应用类型的数据访问,DRAM都有对应的更优的功耗效果和性能效果,从而实现整体更好的功耗和性能效果。

著录项

  • 公开/公告号CN112394805A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-02-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 福州瑞芯微电子股份有限公司;

    申请/专利号CN201910738337.5

  • 发明设计人 杨凯;

    申请日2019-08-12

  • 分类号G06F1/3234(20190101);G11C5/14(20060101);

  • 代理机构35214 福州市博深专利事务所(普通合伙);

  • 代理人柯玉珊

  • 地址 350000 福建省福州市鼓楼区软件大道89号18号楼

  • 入库时间 2023-06-19 09:57:26

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-05-09

    著录事项变更 IPC(主分类):G06F 1/3234 专利申请号:2019107383375 变更事项:申请人 变更前:福州瑞芯微电子股份有限公司 变更后:瑞芯微电子股份有限公司 变更事项:地址 变更前:350000 福建省福州市鼓楼区软件大道89号18号楼 变更后:350000 福建省福州市鼓楼区软件大道89号18号楼

    著录事项变更

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