一种大尺寸钽酸锂晶体单畴化方法

摘要

本发明涉及压电晶体技术领域，尤其是一种大尺寸钽酸锂晶体单畴化方法，包括以下步骤：a)将钽酸锂晶体放于高温炉内，升温至1350℃，保温4h，完成晶体退火，降至常温；b)将碳酸锂原料粉末、粘结剂按1：0.8～1：1的比例混合制成极化浆液，涂抹于退火完钽酸锂晶体的极化两端，再把极化用黄金丝埋于极化浆液内，迅速烘干，制成极化晶帽；c)将退火完的钽酸锂晶体按50‑60℃/h的升温速率升温，并使用电阻测试仪记录钽酸锂晶体电阻变化，当温度超过600℃，电阻变化速率变小，达到2Ω/10℃时，暂停升温，PLC施加电流对钽酸锂晶体进行极化操作，当极化电流达到要求值时，停止加电流，保温4h，按50‑60℃/h的降温，当温度低于600℃时，关闭极化电流，继续降至常温。