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单片集成级联量子阱宽调谐中红外激光器及制备方法

摘要

本公开提供了一种单片集成级联量子阱宽调谐中红外激光器,该激光器的量子阱级联区将具有不同发光波长量子阱级联串联,使该有源区的发光波长的增益谱线可以覆盖较大的波长范围,通过分布反馈式采样光栅对不同发光波长的光进行调谐,并利用光束耦合区的S形弯曲波导进行片上光耦合,最终通过一个平板波导实现单横模的激光输出。该激光器可实现整个单片集成激光器的中红外宽调谐输出,其输出模式为单横模单纵模激光输出,可调谐范围可覆盖中红外波长2‑4μm以上,具有体积小、重量轻、可调谐范围大且覆盖中红外波段的优势。本公开还提供开该激光器的制备方法,制备方法简单,成本低廉。

著录项

  • 公开/公告号CN112366514A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-02-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN202011242900.9

  • 申请日2020-11-09

  • 分类号H01S5/065(20060101);H01S5/12(20210101);H01S5/343(20060101);H01S5/00(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人周天宇

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2023-06-19 09:54:18

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-09-27

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01S 5/065 专利申请号:2020112429009 申请公布日:20210212

    发明专利申请公布后的视为撤回

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