首页> 中国专利> 掺杂二维半导体纳米材料在表面拉曼散射增强中的应用

掺杂二维半导体纳米材料在表面拉曼散射增强中的应用

摘要

本发明涉及拉曼光谱分子检测材料技术领域,具体涉及一种掺杂二维半导体纳米材料作为表面拉曼散射增强活性基底的应用。针对现有技术中半导体材料基底表面增强拉曼散射灵敏度相对较低的问题,本发明提供了一种掺杂二维半导体纳米材料作为表面拉曼散射增强活性基底的应用,通过气相沉积方法在云母基底上直接生成掺硫二维层状结构硒化锡纳米片。该纳米片应用于表面增强拉曼光谱中具有很好的信号增强效果,检测灵敏度高并且制备方法简单可控,检测范围大、并且不与探针分子发生反应。

著录项

  • 公开/公告号CN112326624A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-02-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 山东师范大学;

    申请/专利号CN202011181243.1

  • 发明设计人 刘玫;田元;

    申请日2020-10-29

  • 分类号G01N21/65(20060101);

  • 代理机构37221 济南圣达知识产权代理有限公司;

  • 代理人王志坤

  • 地址 250014 山东省济南市历下区文化东路88号

  • 入库时间 2023-06-19 09:49:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-10-31

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G01N21/65 专利申请号:2020111812431 申请公布日:20210205

    发明专利申请公布后的驳回

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号