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一种在涂层制备扩散过程中抑制单晶再结晶的方法

摘要

本发明是一种在涂层制备扩散过程中抑制单晶再结晶的方法,该方法通过控制涂层制备扩散过程的温度、升温速率、Ar气流量、真空度、恒温时间等主要影响因素,在单晶合金材料表面制备包覆型涂层的同时,实现单晶合金材料内无再结晶现象产生,保障单晶合金材料的组织结构稳定性和力学性能。该单晶合金再结晶的抑制方法具有保护效果好、不改变合金基体材料的显微组织、且该涂层扩散处理工艺过程可提升涂层与单晶合金的界面结合性能,改善涂层与合金基体的化学组成均匀性,避免单晶合金材料出现胞状再结晶,从而保障单晶合金的热疲劳性能和提高涂层/合金的界面稳定性。

著录项

  • 公开/公告号CN112301315A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-02-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国航发北京航空材料研究院;

    申请/专利号CN202010991843.8

  • 申请日2020-09-18

  • 分类号C23C14/32(20060101);C23C14/16(20060101);C22C19/05(20060101);C23C14/54(20060101);C23C14/58(20060101);C30B33/00(20060101);C30B29/52(20060101);

  • 代理机构11008 中国航空专利中心;

  • 代理人陈宏林

  • 地址 100095 北京市海淀区北京市81号信箱科技发展部

  • 入库时间 2023-06-19 09:46:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-11-01

    授权

    发明专利权授予

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