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形成氧化物膜的方法、制造半导体器件的方法、形成介电膜的方法和半导体器件

摘要

公开形成氧化物膜的方法、制造半导体器件的方法、形成介电膜的方法和半导体器件,所述氧化物膜包括至少两种非氧元素。形成包括至少两种非氧元素的方法包括将第一源材料提供在基材上,所述第一源材料包括第一中心元素;提供电子给体化合物以与所述第一源材料结合;在提供所述电子给体化合物之后将第二源材料提供在所述基材上,所述第二源材料包括第二中心元素;和将氧化剂提供在所述基材上。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-05-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 专利申请号:2020107308428 申请日:20200727

    实质审查的生效

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