法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-05-24
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 专利申请号:2020107308428 申请日:20200727
实质审查的生效
机译: 评价用于形成绝缘膜的硅氧烷的方法,用于形成绝缘膜的涂布液,其制备方法,用于半导体器件的绝缘膜的形成方法以及用于制造该半导体膜的半导体器件的形成方法-绝缘涂层,生产流体的过程,形成用于半导体设备的绝缘涂层的过程,以及通过应用上述过程来生产半导体设备的过程)
机译: 用于形成半导体器件的低介电绝缘膜的方法,使用该半导体器件的半导体器件以及用于形成低介电绝缘膜的器件
机译: 形成氧化物膜的方法,半导体器件,半导体器件的制造方法,氧化工艺以及使用该氧化物膜的SiC-MOS型半导体器件以及使用该SiC衬底的SiC-MOS集成电路