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具有二极管和硅控制整流器布置的半导体放电防护装置

摘要

本发明题为“具有二极管和硅控制整流器布置的半导体放电防护装置”。本公开的各个方面包括一个或多个半导体静电放电防护装置。至少一个实施方案包括具有一个或多个指状物的半导体静电放电装置,该一个或多个指状物被划分成具有交替的p扩散区和n扩散区的两个区段,其中每个区域与二极管和/或硅控制整流器(SCR)的一部分中的至少一者相关联。

著录项

  • 公开/公告号CN112310066A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-02-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 力特半导体(无锡)有限公司;

    申请/专利号CN201910692287.1

  • 发明设计人 谢明峰;林志钧;潘之昊;

    申请日2019-07-29

  • 分类号H01L27/02(20060101);H01L21/82(20060101);H01L29/36(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人方丁一

  • 地址 214000 江苏省无锡市新区硕放振发六路3号

  • 入库时间 2023-06-19 09:44:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-08-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/02 专利申请号:2019106922871 申请日:20190729

    实质审查的生效

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