首页> 外文期刊>Антенны >Построение проходных управляющих устройств СВЧ с плавной перестройкой на одном полупроводниковом диоде
【24h】

Построение проходных управляющих устройств СВЧ с плавной перестройкой на одном полупроводниковом диоде

机译:建设通道控制装置微波,在一个半导体二极管上具有平滑的重构

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
获取外文期刊封面目录资料

摘要

Приведен анализ возможности построения проходных управляющих устройств СВЧ с плавной перестройкой на одном полупроводниковом диоде, основывающийся на утверждении, что при перестройке полупроводникового диода его импеданс описывает в комплексной плоскости дугу окружности, показано, что плавный проходной фазовращатель не может быть построен ни на варакторе, ни на pin-диоде, а плавный проходной аттенюатор с постоянной фазой может быть построен на pin-диоде.
机译:基于批准,在一个半导体二极管上用平滑重组构建微波控制装置的可能性分析,当批准时,当重构半导体二极管时,其阻抗在圆周的圆周的复合面上描述了光滑通道阶段不是在引脚二极管上构建的,并且可以在引脚二极管上构建具有永久阶段的衰减器的平滑通道。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号