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一种部分氧空位B3+掺杂玻璃态钾快离子导体K2O·4SiO2及其制备方法

摘要

一种部分氧空位B3+掺杂玻璃态钾快离子导体K2O·4SiO2及其制备方法,其特征为:化学计量式为K2O·4Si1‑xBxO2‑0.5x,其中:x=0.01‑0.10;采用无规K2O·4SiO2结构,使得钾离子在体系中各向同性传导;通过B3+掺杂获得部分氧空位,为钾离子传导提供新的传导路径,进一步降低了钾离子传导活化能,提升了钾离子活动能力及电导率,使得该钾快离子导体的常温锂离子电导率超过4·10‑4S/cm,使其能作为性能优异的钾快离子导体使用;同时通过高压条件的反应,抑制反应物的不均匀挥发从而导致产物的组分偏离。

著录项

  • 公开/公告号CN112279257A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 宁波大学;

    申请/专利号CN202011175241.1

  • 发明设计人 水淼;舒杰;任元龙;

    申请日2020-10-20

  • 分类号C01B33/32(20060101);H01M10/054(20100101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 315211 浙江省宁波市江北区风华路818号宁波大学29号信箱

  • 入库时间 2023-06-19 09:43:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-10-21

    授权

    发明专利权授予

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