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公开/公告号CN112279257A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-29
原文格式PDF
申请/专利权人 宁波大学;
申请/专利号CN202011175241.1
发明设计人 水淼;舒杰;任元龙;
申请日2020-10-20
分类号C01B33/32(20060101);H01M10/054(20100101);
代理机构
代理人
地址 315211 浙江省宁波市江北区风华路818号宁波大学29号信箱
入库时间 2023-06-19 09:43:16
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-10-21
授权
发明专利权授予
机译: 具有由氧/空位络合物组成的掺杂剂形成的掺杂剂区域的半导体组件
机译: 具有由氧/空位复合物组成的掺杂剂组成的掺杂剂区域的半导体成分
机译: 半导体元件二极管,具有由氧/空位络合物形成的掺杂剂区域,该掺杂剂区域从半导体本体的上侧到本体的下侧具有指定的距离,并且包含指定范围内的氧浓度
机译:Ce掺杂的锐钛矿型TiO2的DFT研究:氧空位形成触发Ce〜(3+)和Ti〜(3+)中心的性质
机译:CdS掺杂对CeO_2-ZnO纳米复合材料中氧空位和Ce〜(3+)形成的影响:结构,光学和催化性能
机译:Cr〜(3+)掺杂和氧空位在具有高可见光活性的SrTiO_3光催化剂中的作用
机译:氧氟玻璃与HO〜(3+)和Yb〜(3+)共同掺杂的氧 - 氟化物玻璃的转换性质
机译:第一部分聚氧钨酸盐和聚氧钼酸盐的二磷酸盐复合物。第二部分钾(3)(砷(2)(砷酸)钼(12)氧(36))的结构。 4水,钾(10)(氢(2)钨(12)氧(42))。 7.5水和铯(6)(钼(7)氧(24))。 7水。
机译:氟掺杂和氧空位对F掺杂SnO2纳米颗粒结构和发光特性的相互影响
机译:基于第一原理模拟的未掺杂,铝掺杂和氮掺杂TaOx基RRam氧空位的形成能研究
机译:镨掺杂氧化铈中氧空位扩散的动力晶格monte Carlo模型:材料设计的应用