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公开/公告号CN112289791A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-29
原文格式PDF
申请/专利权人 中国电子科技集团公司第十三研究所;
申请/专利号CN202011085015.4
发明设计人 张立森;梁士雄;杨大宝;宋旭波;吕元杰;顾国栋;徐鹏;冯志红;
申请日2020-10-12
分类号H01L27/08(20060101);H01L29/47(20060101);H01L29/872(20060101);
代理机构13120 石家庄国为知识产权事务所;
代理人许小荣
地址 050051 河北省石家庄市合作路113号
入库时间 2023-06-19 09:43:16
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-01-17
授权
发明专利权授予
机译: 用于发射连续太赫兹激光辐射的波长稳定的半导体激光二极管,具有由光学透明材料制成的平面平行板,其中该板不与发射的辐射直接接触
机译: 半导体器件的肖特基二极管及其制造方法
机译:用于太赫兹应用的性能增强型平面肖特基二极管:电磁建模方法
机译:使用肖特基变容二极管的可调谐200 GHz透镜耦合环形槽天线,用于全电子可重构太赫兹电路
机译:用于Int基异质肖特基二极管的太赫兹检测
机译:SiGe:C技术中的高质量变容二极管和肖特基二极管,用于毫米波和太赫兹应用
机译:太赫兹频率的砷化镓肖特基二极管的蒙特卡洛模拟
机译:利用半导体等离子超材料的非线性太赫兹器件
机译:采用先进器件模型的太赫兹肖特基二极管乘法器的谐波平衡优化