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飞行时间像素中的三栅极电荷转移块结构

摘要

本申请涉及飞行时间像素中的三栅极电荷转移块结构。像素电路包含在半导体材料中的光电二极管,以响应于入射光而累积图像电荷。三栅极电荷转移块被耦合包含所述半导体材料的单个共享沟道区。转移栅极、快门栅极和开关栅极被设置为接近所述单个共享沟道区。所述转移栅极响应于转移信号将所述光电二极管中累积的图像电荷转移到所述单个共享沟道区。所述快门栅极响应于快门信号将所述单个共享沟道区中的所述图像电荷转移到所述半导体材料中的浮动扩散部。所述开关栅极被配置成响应于开关信号将所述单个共享沟道区耦合到所述半导体材料中的电荷存储结构。

著录项

  • 公开/公告号CN112289817A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 豪威科技股份有限公司;

    申请/专利号CN202010716450.6

  • 发明设计人 崔雲;真锅宗平;

    申请日2020-07-23

  • 分类号H01L27/146(20060101);H04N5/355(20110101);H04N5/369(20110101);H04N5/378(20110101);H04N13/20(20180101);G01S7/4865(20200101);G01S17/08(20060101);

  • 代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人刘媛媛

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-06-19 09:41:38

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-05-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/146 专利申请号:2020107164506 申请日:20200723

    实质审查的生效

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