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公开/公告号CN112259684A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-22
原文格式PDF
申请/专利权人 南京邮电大学;
申请/专利号CN202010964466.9
发明设计人 仪明东;曹克阳;李佳钰;陈叶;钱扬周;
申请日2020-09-15
分类号H01L51/05(20060101);H01L51/40(20060101);
代理机构32204 南京苏高专利商标事务所(普通合伙);
代理人常孟
地址 210023 江苏省南京市栖霞区文苑路9号
入库时间 2023-06-19 09:36:59
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-08-26
授权
发明专利权授予
机译: 制造纳米级电阻交叉点存储器阵列以提供纳米级非易失性存储器阵列以用于非常高密度低功耗存储器阵列的方法
机译: 用于多端口存储器的紧凑型解码和多路复用电路,具有与三维存储器阵列的公共存储器接口
机译: 磁性平板线存储器阵列的隧道结构形成方法
机译:解决方案处理的宽带隙有机半导体纳米结构阵列用于非易失性有机场效应晶体管存储器
机译:使用双金属纳米颗粒作为纳米浮栅的有机场效应晶体管非易失性存储器中的协同效应
机译:利用溅射碳纳米颗粒作为纳米浮栅的有机场效应晶体管非易失性存储器
机译:使用对齐碳纳米管阵列电极的有机场效应晶体管:装置性能和电荷注入机构
机译:氧化锌纳米棒阵列的柔性纳米存储器件
机译:共存多种尺寸的阳极氧化TiO2纳米管阵列的细胞行为研究
机译:使用单个ElectromeM聚合物纳米纤维增强有机场效应晶体管的载流子迁移率朝向非易失性存储器
机译:新型有机场效应晶体管纳米改性