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BiVO4/NiOx复合光电极及其制备方法

摘要

本发明公开了一种BiVO4/NiOx复合光电极的制备方法,首先用电沉积法在FTO电极上沉积形成BiVO4薄膜,制备出NiTCPP,将NiTCPP滴涂在BiVO4薄膜电极上,退火后使NiTCPP原位转化成NiOx,从而得到BiVO4/NiOx复合光电极。该方法通过退火在BiVO4的表面原位生成NiOx,方法简单、快速、安全;这种电催化剂的生成方法新颖,与此同时通过原位生长的方式有助于促进向催化位点的电子转移过程。该方法更加有利于电子和空穴的分离,进一步提高PEC性能,为光电化学水裂解提供了一种有效的途径,不仅满足了现代社会提倡的绿色能源,也是一种可持续的方式。

著录项

  • 公开/公告号CN112251763A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西北师范大学;

    申请/专利号CN202010844413.3

  • 申请日2020-08-20

  • 分类号C25B1/04(20210101);C25B1/55(20210101);C25B11/091(20210101);C25D5/50(20060101);C25D9/04(20060101);

  • 代理机构11249 北京中恒高博知识产权代理有限公司;

  • 代理人姜万林

  • 地址 730070 甘肃省兰州市安宁区安宁东路967号

  • 入库时间 2023-06-19 09:36:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-05-12

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C25B 1/04 专利申请号:2020108444133 申请公布日:20210122

    发明专利申请公布后的驳回

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