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用于可调节间隙等离子室中晶片区域压强控制的方法和设备

摘要

提供在等离子处理室中稳定压强的方法和装置。该方法包括提供开环方式的粗压强调节以及之后提供闭环方式的细压强调节。通过采用该传导和该限制环位置之间假定的线性关系快速重定位限制环执行该粗压强调节以使该等离子生成区域中的压强快速到达粗略的所需设定值。至少采用机械真空泵、涡轮泵、限制环定位和/或其组合执行该细压强调节以获得推导压强设定值。

著录项

  • 公开/公告号CN101971711B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-03-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 朗姆研究公司;

    申请/专利号CN200980104995.3

  • 申请日2009-02-06

  • 分类号

  • 代理机构上海胜康律师事务所;

  • 代理人周文强

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 09:13:10

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-01-24

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H05H1/34 授权公告日:20130320 终止日期:20190206 申请日:20090206

    专利权的终止

  • 2013-03-20

    授权

    授权

  • 2013-03-20

    授权

    授权

  • 2011-03-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):H05H1/34 申请日:20090206

    实质审查的生效

  • 2011-03-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):H05H 1/34 申请日:20090206

    实质审查的生效

  • 2011-02-09

    公开

    公开

  • 2011-02-09

    公开

    公开

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