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公开/公告号CN112194496A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-08
原文格式PDF
申请/专利权人 航天特种材料及工艺技术研究所;
申请/专利号CN202011061210.3
发明设计人 张冰清;苗镇江;韩耀;张剑;吕毅;张昊;
申请日2020-09-30
分类号C04B35/80(20060101);C04B35/584(20060101);C04B35/622(20060101);
代理机构11609 北京格允知识产权代理有限公司;
代理人谭辉
地址 100074 北京市丰台区云岗北里40号院
入库时间 2023-06-19 09:29:07
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-06-10
发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):C04B35/80 专利申请号:2020110612103 申请公布日:20210108
发明专利申请公布后的撤回
机译: 一种以氮化硅或氮化硅的体形式产生高温的方法-复合材料
机译: 一种碳化硅晶须增强氮化硅复合材料的生产方法
机译: 一种包含氧氮化硅和氧化锆的陶瓷复合材料的生产方法。
机译:真空浸渍作为一种浸泡炸古拉巴村球的新方法评价
机译:真空浸渍:马铃薯多孔基质(马铃薯片)中矿物强化的一种有前途的方法
机译:超薄氮化硅碳膜:一种用于磁存储设备中读/写磁头的有前途的保护膜
机译:一种新的电荷陷阱工程存储设备,具有基于LTPS-TFT的应用的氮化硅-氮化硅-真空硅(SONVAS)结构
机译:一种基于碳纳米管的复合材料用于混凝土结构健康监测的创新传感方法
机译:使用DoE-Taguchi方法优化氮化硅(Si3N4)-六方氮化硼(hBN)复合材料的磨损损失
机译:开发一种经过统计验证的反应键合氮化硅注射成型方法,烧结反应键合氮化硅和烧结氮化硅。最终报告,1985年7月1日至1986年6月30日