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氟化物晶体内部缺陷和残余应力的检测装置及其检测方法

摘要

本发明公开一种氟化物晶体内部缺陷和残余应力的检测装置及其检测方法。所述检测装置包括:在轴向光轴上依序设置的偏振光源、光阑、样品架、检偏器和图像采集设备;所述样品架用于载置待检测的氟化物晶体;所述偏振光源由白光光源和起偏器组装而成,其中白光光源产生通过起偏器和检偏器的轴向光路;所述图像采集设备设置于待检测的氟化物晶体的出光面外侧;所述检测装置还包括与图像采集设备连接的计算机控制系统,以对图像采集设备采集的图像进行记录和处理,来显示待检测的氟化物晶体的内部缺陷和残余应力情况。该检测装置可以在一套设备上实现对氟化物晶体内部多种缺陷(包括散射、光路、开裂、多晶、条纹)和残余应力的检测。

著录项

  • 公开/公告号CN112179917A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院上海硅酸盐研究所;

    申请/专利号CN202010962109.9

  • 发明设计人 王静雅;张博;刘荣荣;苏良碧;

    申请日2020-09-14

  • 分类号G01N21/95(20060101);G01L5/00(20060101);

  • 代理机构31261 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人郑优丽;牛彦存

  • 地址 200050 上海市长宁区定西路1295号

  • 入库时间 2023-06-19 09:26:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-03-03

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G01N21/95 专利申请号:2020109621099 申请公布日:20210105

    发明专利申请公布后的驳回

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