公开/公告号CN112179917A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-05
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海硅酸盐研究所;
申请/专利号CN202010962109.9
申请日2020-09-14
分类号G01N21/95(20060101);G01L5/00(20060101);
代理机构31261 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙);
代理人郑优丽;牛彦存
地址 200050 上海市长宁区定西路1295号
入库时间 2023-06-19 09:26:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-03-03
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G01N21/95 专利申请号:2020109621099 申请公布日:20210105
发明专利申请公布后的驳回
机译: 内部缺陷检测装置和内部缺陷检测方法
机译: 半导体样品的晶体缺陷检测装置及晶体缺陷检测方法
机译: 碳化硅单晶的晶体缺陷检测方法和晶体缺陷检测装置