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晶体处理方法

摘要

本发明实施例涉及晶体处理技术领域,公开了一种晶体处理方法。包括:利用超声除去晶体中的颗粒类杂质;采用一级磁化乳化液对晶体进行处理,去除晶体表面的金属杂质;采用二级磁化乳化液对晶体进行处理,去除晶体表面的深度颗粒杂质;在充氮气的条件下,用挥发性溶剂对晶体进行吹扫。利用超声波处理、化学侵泡、并中氮气环境下,用挥发性溶剂对所述晶体进行吹扫,制备超洁净籽晶,给籽晶的量产和商业化提供技术支持。

著录项

  • 公开/公告号CN112160032A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳第三代半导体研究院;

    申请/专利号CN202010914622.0

  • 发明设计人 赵丽丽;

    申请日2020-09-03

  • 分类号C30B35/00(20060101);C30B29/36(20060101);C30B29/40(20060101);B08B3/12(20060101);

  • 代理机构11888 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人彭随丽

  • 地址 518000 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1088号台州楼

  • 入库时间 2023-06-19 09:23:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-10-18

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B23/00 专利申请号:2020109146220 申请公布日:20210101

    发明专利申请公布后的驳回

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