公开/公告号CN112160032A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-01
原文格式PDF
申请/专利权人 深圳第三代半导体研究院;
申请/专利号CN202010914622.0
发明设计人 赵丽丽;
申请日2020-09-03
分类号C30B35/00(20060101);C30B29/36(20060101);C30B29/40(20060101);B08B3/12(20060101);
代理机构11888 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人彭随丽
地址 518000 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1088号台州楼
入库时间 2023-06-19 09:23:00
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-10-18
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B23/00 专利申请号:2020109146220 申请公布日:20210101
发明专利申请公布后的驳回
机译: GaN晶体,GaN晶体衬底,GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的表面处理方法,以及GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的制造方法
机译: 氮化物晶体的表面处理方法,氮化物晶体基板,具有外延层的氮化物晶体基板和半导体装置,以及具有外延层的氮化物晶体基板的制造方法和半导体装置
机译: 氮化物晶体的表面处理方法,氮化物晶体基板,具有外延层的氮化物晶体基板和半导体装置,以及具有外延层的氮化物晶体基板的制造方法和半导体装置