用于有机电子器件的组合物

摘要

本发明涉及一种包含电子传输性主体和空穴传输性主体的组合物、涉及所述组合物在电子器件中的用途以及涉及包含所述组合物的电子器件。所述电子传输性主体最优选地选自三嗪‑二苯并呋喃‑芴基体系的类别或选自三嗪‑二苯并噻吩‑芴基体系的类别。所述空穴传输性主体优选地选自双咔唑的类别。

说明书

本发明涉及一种包含电子传输性主体和空穴传输性主体的组合物、涉及所述组合物在电子器件中的用途以及包含所述组合物的电子器件。所述电子传输性主体更优选地选自三嗪-二苯并呋喃-芴基体系的类别或选自三嗪-二苯并噻吩-芴基体系的类别。所述空穴传输性主体优选地选自双咔唑的类别。

在例如US4539507、US5151629、EP0676461和WO98/27136中，描述了使用有机半导体作为功能材料的有机电致发光器件(例如，OLED-有机发光二极管或OLEC-有机发光电化学电池)的结构。本文所用的发光材料，以及荧光发光体，越来越多地是呈现磷光而不是荧光的有机金属络合物(M.A.Baldo等，Appl.Phys.Lett.1999,75,4-6)。由于量子力学的原因，使用有机金属化合物作为磷光发光体可以在能量效率和功率效率上达到四倍的增加。然而，总体而言，仍需要在OLED、特别还是呈现三重态发光(磷光)的OLED中例如关于效率、工作电压和寿命的改善。

有机电致发光器件的性质不仅由所用的发光体决定。在此也特别重要的特别是所用的其它材料，例如主体和基质材料、空穴阻挡材料、电子传输材料、空穴传输材料和电子或激子阻挡材料，且其中特别是主体或基质材料。这些材料的改善可以导致电致发光器件的显著改善。

用于有机电子器件的主体材料对于本领域的技术人员是众所周知的。当所意指的是磷光发光体的主体材料时，现有技术中也经常使用术语“基质材料”。这种术语的使用也适用于本发明。同时，已开发了用于荧光电子器件和用于磷光电子器件两者的大量主体材料。

根据现有技术，三嗪在所述用于磷光发光体的基质材料中，例如描述于WO 2008/056746、KR 20150074603、KR 220150136027、WO2015/169412、EP3043398 A1、JP5831654、US2016/093808、US2017/0054087或WO 2018/016742的结构中。

改善电子器件、特别是有机电致发光器件的性能数据的其它方法是使用两种或更多种材料、特别是主体材料或基质材料的组合。

US 6392250 B1公开了由电子传输材料、空穴传输材料和荧光发光体组成的混合物在OLED的发光层中的用途。在此混合物的帮助下，相比于现有技术可以改善所述OLED的寿命。

US 6803720 B1公开了包含磷光发光体和空穴传输材料和电子传输材料的混合物在OLED的发光层中的用途。所述空穴传输材料和电子传输材料都是小有机分子。

类似地，根据WO 2015/169412，可以在混合物中使用例如三嗪-二苯并呋喃-咔唑衍生物和三嗪-二苯并噻吩-咔唑衍生物。例如，描述了指定为E34的OLED的生产，其在发光层中包含主体材料EG1、IC6和磷光发光体TEG1。所用的化合物的结构如下所示：

根据WO 2018/016742，可以在混合物中使用例如三嗪-二苯并呋喃-芳基衍生物和三嗪-二苯并噻吩-芳基衍生物。例如，特定的三嗪-二苯并呋喃-联三苯叉衍生物在EML中与特定的双咔唑和发光体组合。通过举例的方式详述了化合物4与双咔唑PH-2和发光体GD-1的组合，如下表中所示：

具有以下式的化合物H在单主体体系中用于比较的目的。

根据US 2017/0054087，可以在被称作预混合体系的初始混合物中使用特定的三嗪-二苯并呋喃-芳基衍生物或特定的三嗪-二苯并噻吩-芳基衍生物与特定的双咔唑衍生物的组合，用于生产发光器件。通过举例的方式在下表中具体说明了三种预混合物：

根据EP 3043398 A1，可以使用特定的三嗪-二苯并呋喃-芳基衍生物或特定的三嗪-二苯并噻吩-芳基衍生物与特定的咔唑衍生物的组合来生产发光器件。通过举例的方式在下表中具体说明了两种材料组合：

根据US 2016/093808，可以使用特定的三嗪衍生物的三元混合物来生产有机电子器件，举例了混合物TPMI(化合物H8、化合物C74和化合物H17)以及化合物C83、F20和F18的混合物。在下表中具体说明了所述结构：

然而，在使用这些材料的情形下或在使用所述材料的混合物的情形下，仍需要特别是关于有机电子器件的效率、工作电压和/或寿命的改善。

因此，本发明的一个目的是提供适合用于有机电子器件、特别是有机电致发光器件以及特别是荧光或磷光OLED并导致良好的器件性能、特别是关于对相应的电子器件提供改善的效率、改善的工作电压和/或改善的寿命的材料。

已发现，通过包含式(1)化合物以及包含式(2)的空穴传输性主体的组合物可以实现此目的并消除现有技术中的缺陷，所述式(1)化合物更优选地是例如三嗪-二苯并呋喃-芴基衍生物或三嗪-二苯并噻吩-芴基衍生物。所述组合物导致有机电子器件、特别是有机电致发光器件的非常良好的性能，特别是关于效率、工作电压和/或寿命的良好性能，以及特别是在发光层中还存在浓度为2重量％和15重量％之间的发光组分时更是如此。

因此，本发明首先提供了包含至少一种式(1)化合物和至少一种式(2)化合物的组合物：

式(1)

式(2)

其中所用的符号和标记如下：

X在每种情况中相同或不同且是CR

Y选自O和S；

L在每种情况中相同或不同且是单键或具有6至30个芳族环原子并可以被一个或多个R

L

L

Ar

R

R

Ar

Ar

R

R

R

R

R

R

Ar在每种情况中相同或不同且是具有5至30个芳族环原子并可以被一个或多个非芳族的R

n和m在每种情况中独立地是0、1、2或3；

o在每种情况中独立地是0、1、2、3、4、5、6或7；

q在每种情况中独立地是0、1、2或3；

p在每种情况中独立地是0、1、2、3或4。

本发明还提供了特定的材料组合、包含这种组合物的制剂、这些组合物在有机电子器件中的用途、包含这种组合物且优选地在一个层中包含所述组合物的有机电子器件、优选有机电致发光器件、以及生产这种器件的方法。在下文描述的相应的优选实施方式也类似地形成本发明主题的一部分。通过已知材料的特定选择、特别是关于式(1)化合物的选择实现了令人吃惊和有利的效果。

包含含有如上文所述或在下文描述为优选的至少一种式(1)化合物和至少一种式(2)化合物的组合物的层特别是发光层(EML)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)和/或空穴阻挡层(HBL)。

当所述层是发光层时，它优选地是磷光层，所述磷光层的特征在于它除了包含如上所述的式(1)和式(2)的基质材料之外还包含磷光发光体。

在本发明的上下文中，相邻碳原子是彼此直接键合的碳原子。

在本说明书的上下文中，两个或更多个基团可以一起形成环的表述，应当被理解为意指，所述两个基团通过化学键彼此结合并形式上消除了两个氢原子。通过以下方案说明：

然而，此外，上述表述也可以被理解为意指，如果两个基团的其中一个是氢，则第二个基团结合到氢原子键合的位置上，从而形成环。这通过以下方案说明：

本发明上下文中的芳基基团包含6至40个芳族环原子，优选地是碳原子。本发明上下文中的杂芳基基团包含5至40个芳族环原子，其中所述环原子包含碳原子和至少一个杂原子，前提是碳原子和杂原子的总和加起来至少为5。所述杂原子优选地选自N、O和/或S。本文中的芳基基团或杂芳基基团应意指简单的芳族环，即衍生自苯的苯基；或简单的杂芳族环，例如衍生自吡啶、嘧啶或噻吩的基团；或稠合的芳基或杂芳基基团，例如衍生自萘、蒽、菲、喹啉或异喹啉的基团。因此，具有6至18个碳原子的芳基基团优选地是苯基、萘基、菲基或联三苯叉基，对于连接到芳基基团的取代基没有限制。因此，具有6至18个碳原子的芳亚基基团优选地是苯亚基、萘亚基、菲亚基或联三苯叉亚基，对于连接芳亚基的连接体没有限制。

本发明上下文中的芳族环系在所述环系中包含6至40个碳原子并可以被一个或多个R

具有6至18个碳原子的芳族环系优选地选自苯亚基、联苯亚基、萘亚基、菲亚基和联三苯叉亚基，其中相应的芳族环系可以被一个或多个R

本发明上下文中的杂芳族环系包含5至40个环原子和至少一个杂原子并可以被一个或多个R

具有5至40个芳族环原子并在每个情形中可以被上述R

缩写Ar在每种情况中相同或不同且是具有5至30个芳族环原子并可以被一个或多个非芳族的R

本发明上下文中的环状烷基、烷氧基或硫代烷基基团应理解为意指单环、双环或多环基团。

在本发明上下文中，其中个别氢原子或CH

烯基基团应理解为意指例如乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、环戊烯基、己烯基、环己烯基、庚烯基、环庚烯基、辛烯基、环辛烯基或环辛二烯基。

炔基基团应当被理解为意指例如乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基、庚炔基或辛炔基。

C

C

具有5至40个芳族环原子的芳氧基或杂芳氧基基团意指O-芳基或O-杂芳基且意指所述芳基或杂芳基通过氧原子键合。

具有5至40个芳族环原子的芳烷基或杂芳烷基基团意指如上所述的烷基基团被芳基基团或杂芳基基团取代。

本发明上下文中的磷光发光体是呈现从具有更高自旋多重性(即自旋态>1)的激发态、特别是从激发三重态发光的化合物。在本申请的上下文中，所有具有过渡金属或镧系元素的发光络合物均应被当作磷光发光体。下文给出了更加准确的定义。

当包含至少一种如上所述或在下文描述为优选的式(1)化合物和至少一种如上所述或在下文描述为优选的式(2)化合物的组合物被用作磷光发光体的基质材料时，优选的是其三重态能量不显著小于磷光发光体的三重态能量。关于三重态能级，优选的情形是T

在本发明的一个优选实施方式中，选择式(1)化合物，其中Y选自O和S，优选地选自O。

在式(1)化合物中，所述符号X在两种情况中是N且在一种情况中是CR

因此，所述取代基

具有以下定义，其中*表明与二苯并呋喃或二苯并噻吩的键合位点且R

R

其中X在每种情况中为N的式(1)化合物由式(1a)表示。

式(1a)

其中Y、L、Ar

更优选地，为所述组合物选择至少一种具有上述取代基的描述为优选或在下文描述为优选的式(1a)化合物。

因此，本发明还提供如上所述的组合物，其中式(1)化合物符合式(1a)，优选地符号Y是O。

在式(1)或(1a)化合物、或用优选方式描述的式(1)或(1a)化合物中，Ar

本文不限制所述芳基基团或所述二苯并呋喃基基团或二苯并噻吩基基团的键合。

因此，Ar

更优选地，至少一个Ar

当在式(1)或(1a)化合物、或描述为优选的式(1)或(1a)化合物中，Ar

所述二苯并呋喃基或二苯并噻吩基上的取代基R

在式(1)或(1a)化合物、或描述为优选的式(1)或(1a)化合物中，所述取代基R*在每种情况中相同或不同且是具有1至10个碳原子的直链烷基基团或具有6至12个碳原子的芳基基团，其中两个R

其中取代基R

式(1b)

式(1c)

式(1d)

其中X、Y、L、Ar

在式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)、(1e)和(1f)化合物、或描述为优选的式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)、(1e)和(1f)化合物中，n优选地是0或1，其中R具有上文给出的定义或下文给出的定义。更优选地，n是0。

在式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)、(1e)和(1f)化合物、或描述为优选的式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)、(1e)和(1f)化合物中，m优选地是0或1，其中R具有上文给出的定义或下文给出的定义。更优选地，m是0。

在式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)、(1e)和(1f)化合物、或描述为优选的式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)、(1e)和(1f)化合物中，n和m的总和，简写为(n+m)，优选地是0、1或2，其中R具有上文给出的定义或下文给出的定义。更优选地，(n+m)是0或1。最优选地，(n+m)是0。

在式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)、(1e)和(1f)化合物、或描述为优选的式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)、(1e)和(1f)化合物中，o优选地是0、1或2，其中R

在式(1f)化合物、或描述为优选的式(1f)化合物中，p优选地是0、1或2，其中R

当在式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)、(1e)和(1f)化合物、或描述为优选的式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)、(1e)和(1f)化合物中，n或m大于0时，所述取代基R在每种情况中相同或不同且优选地选自D、F、具有1至40个碳原子的烷基基团或具有5至40个芳族环原子的芳族或杂芳族环系。在R的此情形下，所述具有5至40个芳族环原子的杂芳族环系优选地衍生自二苯并呋喃或二苯并噻吩。在R的此情形下，所述具有6至40个芳族环原子的芳族环系优选地是苯基、联苯基或三联苯基，更优选地是苯基或[1,1’,2’,1”]-三联苯-5’-基。在R的此情形下，所述具有1至40个碳原子的烷基基团优选地是具有1至4个碳原子的直链或支链烷基基团，更优选地是甲基、乙基、正丙基或正丁基，最优选地是甲基。

当在式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)、(1e)和(1f)化合物、或描述为优选的式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)、(1e)和(1f)化合物中，o或p大于0时，所述取代基R

在式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)、(1e)和(1f)化合物、或描述为优选的式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)、(1e)和(1f)化合物中，L在每种情况中相同或不同且是单键或具有6至30个芳族环原子并可以被一个或多个R

因此，L可以优选地选自以下连接体L-1至L-20，所述连接体可以未取代或被如上所述R

优选地，所述连接体L-1至L-20是未取代的。

使用连接体L-1至L-7是特别优选的。

优选地，L在间位以苯亚基被连接。

在式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)、(1e)和(1f)化合物、或描述为优选的式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)、(1e)和(1f)化合物中，L可以在任何位置键合至芴基。如上所述或描述为优选的L，更优选地在所述芴基基团的2号位和4号位被连接，最优选地在所述芴基基团的2号位被连接。

如上所述或描述为优选的L，优选地在所述双螺芴基基团的2号位、3号位或4号位被连接，或最优选地在所述双螺芴基基团的2号位被连接。

特别优选的式(1)化合物符合如上所述的式(1d)和(1f)。

本发明还提供了式(1a)的特定化合物。

式(1a)

其中所用的符号和标记如下：

Y选自O和S；

L在每种情况中相同或不同且是具有6至18个碳原子的芳族环系，优选地是苯亚基、联苯亚基、萘亚基、菲亚基或联三苯叉亚基，所述基团可以被一个或多个R

Ar

R

R在每种情况中相同或不同且选自D、F、CN和具有6至10个碳原子的芳基基团；

R

R

n和m在每种情况中独立地是0、1、2或3；且

o在每种情况中独立地是0、1、2、3、4、5、6或7。

具体说明为优选的Y、L、Ar

因此，本发明还提供了以下式(1g)、(1h)、(1i)、(1j)和(1k)的优选化合物：

式(1g)

式(1h)

其中Y、Ar

在式(1)、(1a)、(1g)、(1h)、(1i)、(1j)和(1k)的化合物中，Y优选地是O，Ar

式(1g)、(1h)、(1i)、(1j)和(1k)的化合物优选地被选择用于本发明的组合物。

式(1k)的化合物优选地被本发明所提供或更优选地被选择用于本发明的组合物，其中所用的符号具有具体说明的定义或具体说明为优选的定义。

根据本发明选择的合适的式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)、(1e)、(1f)、(1g)、(1h)、(1i)、(1j)和(1k)化合物的实例是如下表1所示的结构。

表1：

根据本发明选择的特别合适的式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)、(1e)、(1f)、(1g)、(1h)、(1i)、(1j)或(1k)化合物的是表2的化合物1至11。

表2：

式(1)化合物或优选的式(1a)至(1k)化合物以及化合物1至11的制备是本领域技术人员已知的。所述化合物可以通过本领域技术人员已知的合成步骤来制备，例如卤化、优选地溴化以及随后的有机金属偶联反应，例如Suzuki偶联、Heck偶联或Hartwig-Buchwald偶联。式(1)化合物或优选的式(1a)至(1k)化合物以及化合物1至11的制备特别可以从WO2015/169412、特别是第63页和第77页至114页的合成实施例推断。

其中L是单键的式(1)至(1f)化合物可以根据以下方案1来制备，其中X、Y、R*、Ar

方案1：

其中L是连接体基团的式(1)至(1k)化合物可以根据以下方案2来制备，其中X、Y、R*、Ar

方案2：

空穴传输性主体符合式(2)

其中所用的符号和标记如下：

R

R

L

L

Ar

Ar

R

R

R

R

Ar在每种情况中相同或不同且是具有5至30个芳族环原子并可以被一个或多个非芳族的R

q在每种情况中独立地是0、1、2或3；

p在每种情况中独立地是0、1、2、3或4。

在本发明的一个实施方式中，选择如上所述的式(2)化合物，所述式(2)化合物与如上所述或描述为优选的式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)、(1e)、(1f)、(1g)、(1h)、(1i)、(1j)和(1k)化合物或与表1的化合物或与化合物1至11一起用于所述组合物。

式(2)化合物可以由以下式(2a)、(2b)、(2c)和(2d)表示：

其中L

优选的式(2a)化合物是式(2e)、(2f)、(2g)、(2h)和(2i)化合物

其中R

在式(2a)至(2i)化合物中，当p、q、r或s大于1时，从取代基R

因此，本发明还提供了如上所述的组合物，其中式(2)化合物对应于式(2a)、(2b)、(2c)、(2d)、(2e)、(2f)、(2g)、(2h)和(2i)化合物中的一种。

在式(2)、(2a)、(2b)、(2c)、(2d)、(2e)、(2f)、(2g)、(2h)和(2i)化合物中，一个取代基R

在式(2)、(2a)、(2b)、(2c)、(2d)、(2e)、(2f)、(2g)、(2h)和(2i)化合物中，在一种或多种情况中的两个取代基R

亚结构(S1)至(S9)中的R

在式(2)、(2a)、(2b)、(2c)、(2d)、(2e)、(2f)、(2g)、(2h)和(2i)化合物中，所述连接体L

其中W表示N-Ar、O、S或C(CH

优选地，所述连接体L-2.1至L-2.33是未取代的或被苯基取代的。

对于L

对于L

在式(2)、(2a)、(2b)、(2c)、(2d)、(2e)、(2f)、(2g)、(2h)和(2i)化合物的一个优选实施方式中，所述两个咔唑各自在3号位彼此相连。

在式(2)、(2a)、(2b)、(2c)、(2d)、(2e)、(2f)、(2g)、(2h)和(2i)化合物中，q优选地是0、1或2，其中R

当式(2)、(2a)、(2b)、(2c)、(2d)、(2e)、(2f)、(2g)、(2h)和(2i)化合物中的q大于0时，所述取代基R

在式(2)、(2a)、(2b)、(2c)、(2d)、(2e)、(2f)、(2g)、(2h)和(2i)化合物中，r优选地是0、1或2，其中R

当式(2)、(2a)、(2b)、(2c)、(2d)、(2e)、(2f)、(2g)、(2h)和(2i)化合物中的r大于0时，所述取代基R

所述取代基[R

在式(2)、(2a)、(2b)、(2c)、(2d)、(2e)、(2f)、(2g)、(2h)和(2i)化合物中，s优选地是0、1或2，其中R

当式(2)、(2a)、(2b)、(2c)、(2d)、(2e)、(2f)、(2g)、(2h)和(2i)化合物中的s大于0时，所述取代基R

N(Ar)

所述取代基R

在如上所述的取代基R

如上所述，在式(2)、(2a)、(2b)、(2c)、(2d)、(2e)、(2f)、(2g)、(2h)和(2i)化合物中，在每个情形中的Ar

Ar

在具有10至40个碳原子并且可以被一个或多个取代基R

在式(2)、(2a)、(2b)、(2c)、(2d)、(2e)、(2f)、(2g)、(2h)和(2i)化合物或用优选方式描述的式(2)、(2a)、(2b)、(2c)、(2d)、(2e)、(2f)、(2g)、(2h)和(2i)化合物中，Ar

其中Y

所述R

Y

在所述结构Ar-1至Ar-22中，所述取代基R

在所述结构Ar-1至Ar-22中，所述取代基R

根据本发明选择的适合的式(2)、(2a)、(2b)、(2c)、(2d)、(2e)、(2f)、(2g)、(2h)和(2i)化合物的实例是示于表3的结构。

表3：

根据本发明选择的式(2)、(2a)、(2b)、(2c)、(2d)、(2e)、(2f)、(2g)、(2h)和(2i)化合物的特别适合的实例是化合物12至34，如表4所述：

表4：

式(2)化合物或优选的式(2)、(2a)、(2b)、(2c)、(2d)、(2e)、(2f)、(2g)、(2h)和(2i)化合物以及来自表3和表4的化合物的制备是本领域技术人员已知的。所述化合物可以通过本领域技术人员已知的合成步骤来制备，例如卤化、优选地溴化以及随后的有机金属偶联反应，例如Suzuki偶联、Heck偶联或Hartwig-Buchwald偶联。式(2)化合物中的一些是可商购的。

上述式(1)、(1a)、(1b)、(1c)、(1d)、(1e)、(1f)、(1g)、(1h)、(1i)、(1j)或(1k)的主体材料以及其中描述为优选的实施方式或来自表1和表2的化合物可以如根据本发明所需的与式(2)、(2a)、(2b)、(2c)、(2d)、(2e)、(2f)、(2g)、(2h)和(2i)的特定主体材料以及其中描述为优选的实施方式或来自表3或表4的化合物进行组合。

通过来自表2的化合物1至11与来自表3的化合物的组合来获得用于本发明组合物的特别优选的式(1)的主体材料与式(2)的主体材料的混合物。

通过来自表2的化合物1至11与来自表4的化合物12至34的组合来获得用于本发明组合物的非常特别优选的式(1)的主体材料与式(2)的主体材料的混合物，如下文中表5所示。

表5：

基于总的组合物，如上所述或在本发明组合物中描述为优选的式(1)的电子传输性主体的浓度在从5重量％至90重量％的范围内，优选地在从10重量％至85重量％的范围内，更优选地在从20重量％至85重量％的范围内，甚至更优选地在从30重量％至80重量％的范围内，非常特别优选地在从20重量％至60重量％的范围内且最优选地在从30重量％至50重量％的范围内。

基于总的组合物，如上所述或在本发明组合物中描述为优选的式(2)的空穴传输性主体的浓度在从10重量％至95重量％的范围内，优选地在从15重量％至90重量％的范围内，更优选地在从15重量％至80重量％的范围内，甚至更优选地在从20重量％至70重量％的范围内，非常特别优选地在从40重量％至80重量％的范围内且最优选地在从50重量％至70重量％的范围内。

在其它优选实施方式中，本发明的组合物除了包含至少一种如上所述或描述为优选的式(1)化合物作为电子传输性主体或电子传输性基质材料，和至少一种如上所述或描述为优选的式(2)化合物作为空穴传输性主体或空穴传输性基质材料之外，还包含其它化合物、特别是有机功能材料。在此实施方式中，所述组合物优选地形成如下文所述电子器件中的有机层。

因此，本发明还涉及组合物，所述组合物除了包含上述材料之外，还包含至少一种其它化合物，所述化合物选自空穴注入材料、空穴传输材料、空穴阻挡材料、宽带隙材料、荧光发光体、磷光发光体、主体材料、电子阻挡材料、电子传输材料和电子注入材料、n型掺杂剂和p型掺杂剂。本领域的技术人员对于从本领域已知的大量材料中选出这些材料没有任何困难。

本文的n型掺杂剂应理解为意指还原剂，即电子供体。n型掺杂剂的优选实例是根据WO 2005/086251 A2的W(hpp)

本文的p型掺杂剂应理解为意指氧化剂，即电子受体。p型掺杂剂的优选实例是F

本文的宽带隙材料应理解为意指在US 7294849公开范围内的材料，其特征在于带隙至少为3.5eV，所述带隙应理解为意指材料的HOMO和LUMO能量之间的间隙。

当包含双极主体和电子传输性主体的本发明组合物还包含至少一种发光化合物或发光体时是优选的，所述发光体特别优选地是磷光发光体。

所述术语“磷光发光体”通常包括以下化合物，其中光是通过从具有更高自旋多重性(即自旋态>1)的激发态的自旋禁止跃迁、例如通过从三重态或具有甚至更高自旋量子数例如五重态的态的跃迁而发出。这优选地应理解为从三重态的跃迁。

适合的磷光发光体(＝三重态发光体)特别是那些当适合地被激发时优选地在可见光区域发光，并还包含至少一个原子数大于20、优选地大于38并小于84、更优选地大于56并小于80的原子、特别是具有此原子序数的金属的化合物。所用的优选的磷光发光体是包含铜、钼、钨、铼、钌、锇、铑、铱、钯、铂、银、金或铕的化合物，特别是含铱或铂的化合物。在本发明的上下文中，所有包含上述金属的发光化合物都被当作磷光发光体。

总体上，根据现有技术用于磷光OLED的以及如有机电致发光器件领域的技术人员已知的所有磷光络合物都是适合的。

上述发光体的实例可以在以下申请中发现：WO 2016/015815、WO00/70655、WO2001/41512、WO 2002/02714、WO 2002/15645、EP1191613、EP 1191612、EP 1191614、WO 05/033244、WO 05/019373、US 2005/0258742、WO 2009/146770、WO 2010/015307、WO2010/031485、WO 2010/054731、WO 2010/054728、WO 2010/086089、WO 2010/099852、WO 2010/102709、WO 2011/032626、WO2011/066898、WO 2011/157339、WO 2012/007086、WO 2014/008982、WO 2014/023377、WO 2014/094961、WO 2014/094960、WO2015/036074、WO 2015/104045、WO 2015/117718、WO 2016/015815、WO 2016/124304、WO 2017/032439、WO 2015/036074、WO 2015/117718和WO 2016/015815。

磷光发光体的优选实例列于下文表6。

表6：

磷光多足发光体的优选实例列于下文表7。

表7：

在本发明组合物中，优选地任何混合物M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9、M10、M11、M12、M13、M14、M15、M16、M17、M18、M19、M20、M21、M22、M23、M24、M25、M26、M27、M28、M29、M30、M31、M32、M33、M34、M35、M36、M37、M38、M39、M40、M41、M42、M43、M44、M45、M46、M47、M48、M49、M50、M51、M52、M53、M54、M55、M56、M57、M58、M59、M60、M61、M62、M63、M64、M65、M66、M67、M68、M69、M70、M71、M72、M73、M74、M75、M76、M77、M78、M79、M80、M81、M82、M83、M84、M85、M86、M87、M88、M89、M90、M91、M92、M93、M94、M95、M96、M97、M98、M99、M100、

M101、M102、M103、M104、M105、M106、M107、M108、M109、M110、M111、M112、M113、M114、M115、M116、M117、M118、M119、M120、M121、M122、M123、M124、M125、M126、M127、M128、M129、M130、M131、M132、M133、M134、M135、M136、M137、M138、M139、M140、M141、M142、M143、M144、M145、M146、M147、M148、M149、M150、M151、M152、M153、M154、M155、M156、M157、M158、M159、M160、M161、M162、M163、M164、M165、M166、M167、M168、M169、M170、M171、M172、M173、M174、M175、M176、M177、M178、M179、M180、M181、M182、M183、M184、M185、M186、M187、M188、M189、M190、M191、M192、M193、M194、M195、M196、M197、M198、M199、M200、

M201、M202、M203、M204、M205、M206、M207、M208、M209、M210、M211、M212、M213、M214、M215、M216、M217、M218、M219、M220、M221、M222、M223、M224、M225、M226、M227、M228、M229、M230、M231、M232、M233、M234、M235、M236、M237、M238、M239、M240、M241、M242、M243、M244、M245、M246、M247、M248、M249、M250、M251、M252或M253与来自表6或7的化合物组合。

包含至少一种磷光发光体的本发明组合物优选地形成红外发光或黄光、橙光、红光、绿光、蓝光或紫外发光层，更优选地是黄光或绿光发光层且最优选地是绿光发光层。

本文的黄光发光层应理解为意指具有从540至570nm范围内的光致发光最大值的层。橙光发光层应理解为意指具有从570至600nm范围内的光致发光最大值的层。红光发光层应理解为意指具有从600至750nm范围内的光致发光最大值的层。绿光发光层应理解为意指具有从490至540nm范围内的光致发光最大值的层。蓝光发光层应理解为意指具有从440至490nm范围内的光致发光最大值的层。本文的层的光致发光最大值是通过在室温下测量具有50nm层厚度的层的光致发光光谱来测定，所述层具有本发明的组合物，即包含发光体和基质。

所述层的光致发光光谱用例如商用的光致发光光谱仪来记录。

所选的发光体的光致发光光谱通常在室温下在10

因此，优选的磷光发光体是红外发光体，优选地来自表5或6，其三重态能量T1优选地是～1.9eV至～1.0eV。

因此，优选的磷光发光体是红色发光体，优选地来自表5或6，其三重态能量T1优选地是～2.1eV至～1.9eV。

因此，优选的磷光发光体是黄色发光体，优选地来自表5或6，其三重态能量T1优选地是～2.3eV至～2.1eV。

因此，优选的磷光发光体是绿色发光体，优选地来自表5或6，其三重态能量T1优选地是～2.5eV至～2.3eV。

因此，优选的磷光发光体是蓝色发光体，优选地来自表5或6，其三重态能量T1优选地是～3.1eV至～2.5eV。

因此，优选的磷光发光体是紫外发光体，优选地来自表5或6，其三重态能量T1优选地是～4.0eV至～3.1eV。

因此，特别优选的磷光发光体是绿色或黄色发光体，优选地来自如上所述的表6或7。

因此，非常特别优选的磷光发光体是绿色发光体，优选地来自表6或7，其三重态能量T1优选地是～2.5eV至～2.3eV。

最优选地，选择如上所述优选地来自表6或7的绿色发光体用于本发明的组合物或本发明的发光层。

优选的荧光发光体选自芳胺类。本发明上下文中的芳胺或芳族胺应理解为意指包含三个直接键合于氮的取代或未取代的芳族或杂芳族环系的化合物。优选地，这些芳族或杂芳族环系中的至少一个是稠合的环系，更优选具有至少14个芳族环原子。这些芳胺的优选实例是芳族蒽胺、芳族蒽二胺、芳族芘胺、芳族芘二胺、芳族苣胺或芳族苣二胺。芳族蒽胺应理解为意指其中二芳基氨基基团优选地在9号位直接键合于蒽基团的化合物。芳族蒽二胺应理解为意指其中两个二芳基氨基基团优选地在9号位、10号位直接键合于蒽基团的化合物。类似地定义了芳族芘胺、芳族芘二胺、芳族苣胺或芳族苣二胺，其中所述二芳基氨基基团优选地在1号位或1、6号位键合于芘。其它优选的荧光发光体是例如根据WO 2006/108497或WO 2006/122630的茚并芴胺或茚并芴二胺、例如根据WO 2008/006449的苯并茚并芴胺或苯并茚并芴二胺、例如根据WO 2007/140847的二苯并茚并芴胺或二苯并茚并芴二胺以及公开于WO 2010/012328的具有稠合芳基基团的茚并芴衍生物。

在本发明的其它优选实施方式中，本发明组合物被用作混合的基质体系的组分。所述混合的基质体系优选地包含三种或四种不同的基质材料，更优选地三种不同的基质材料(换言之，除了本发明所述的组合物之外的一种其它基质组分)。可以被用于与本发明组合物组合作为混合的基质体系中的基质组分的合适基质材料的实例选自宽带隙材料、电子传输材料(ETM)和空穴传输材料(HTM)。

优选的是在磷光有机电致发光器件中使用混合的基质体系。一个更加具体的关于混合的基质体系的信息来源是申请WO 2010/108579。特别适合的可以与本发明组合物组合用作磷光或荧光有机电致发光器件中的混合基质体系的基质组分的基质材料，根据使用的发光体的类型，选自下文具体说明的磷光发光体的优选基质材料或荧光发光体的优选基质材料。优选地，所述混合的基质体系对来自表6或7的发光体是优化的。

除了如上所述的本发明组合物、更优选的包含选自M1至M253的材料的混合物之外，不同的物质类别作为其它主体材料、优选地用于荧光发光体的其它主体材料是有用的。优选的其它主体材料选自低聚芳亚基的类别(例如根据EP 676461的2,2’,7,7’-四苯基螺二芴，或二萘基蒽)，特别是包含稠合芳族基团的低聚芳亚基，低聚芳亚基乙烯亚基(例如根据EP 676461的DPVBi或螺DPVBi)、多足金属络合物(例如根据WO 2004/081017)、空穴传导化合物(例如根据WO2004/058911)、电子传导化合物，特别是酮、氧化膦、亚砜等(例如根据WO 2005/084081和WO 2005/084082)、阻转异构体(例如根据WO 2006/048268)、硼酸衍生物(例如根据WO 2006/117052)或苯并蒽(例如根据WO 2008/145239)。特别优选的主体材料选自包含萘、蒽、苯并蒽和/或芘或这些化合物的阻转异构体的低聚芳亚基、低聚芳亚基乙烯亚基、酮、氧化膦和亚砜的类别。非常特别优选的基质材料选自包含蒽、苯并蒽、苯并菲和/或芘或这些化合物的阻转异构体的低聚芳亚基的类别。此发明上下文中的低聚芳亚基应当理解为意指其中至少三个芳基或芳亚基基团彼此键合的化合物。

除了如上所述的本发明组合物、更优选的包含选自M1至M253的材料的混合物之外，不同的物质类别作为其它主体材料、优选地用于磷光发光体的其它主体材料是有用的。优选的其它基质材料选自芳族胺的类别，特别是例如根据US 2005/0069729的三芳基胺；咔唑衍生物(例如CBP、N,N-二咔唑基联苯)或根据WO 2005/039246、US2005/0069729、JP2004/288381、EP 1205527或WO 2008/086851的化合物；例如根据WO 2011/088877和WO2011/128017的桥连咔唑衍生物；例如根据WO 2010/136109和WO 2011/000455的茚并咔唑衍生物；例如根据EP 1617710、EP 1617711、EP 1731584、JP 2005/347160的氮杂咔唑衍生物；例如根据WO 2007/063754或WO 2008/056746的吲哚并咔唑衍生物；例如根据WO 2004/093207或WO 2010/006680的酮；例如根据WO 2005/003253的氧化膦、亚砜和砜；例如根据WO2007/137725的低聚苯亚基、双极基质材料；例如根据WO 2005/111172的硅烷；例如根据WO 2006/117052的硼氮杂环戊熳或硼酸酯；例如根据WO 2010/015306、WO 2007/063754或WO 2008/056746的三嗪衍生物；例如根据EP 652273或WO 2009/062578的锌络合物；例如根据WO 2010/054729的铝络合物例如BAlq、硅二氮杂环戊熳衍生物和硅四氮杂环戊熳衍生物；例如根据WO 2010/054730的磷二氮杂环戊熳衍生物；和铝络合物例如BAlQ。

在本发明的一个可选实施方式中，所述组合物，除了包含所述电子传输性主体和空穴传输性主体的组分之外，不包含任何其它组分，即任何功能材料。此实施方式涉及用于有机层生产的材料混合物。这些体系也被称为预混合体系，其在气相沉积中被用作唯一材料来源。用这种方法，可以以简单和快速的方式实现具有均匀分布的组分的层的气相沉积，而不需要大量材料来源的精确驱动。

因此，本发明还提供了由式(1)、(1a)至(1k)化合物或选自1至11的化合物与式(2)、(2a)至(2i)化合物或选自12至34的化合物组成的组合物。

如上所述或描述为优选的本发明组合物适合用于有机电子器件。本文的有机电子器件应理解为意指包含至少一个包含至少一种有机化合物的层的器件。然而，所述器件还可以包含无机材料或完全由无机材料形成的层。

因此，本发明还提供了如上所述或描述为优选的组合物、特别是选自M1至M253的混合物在有机电子器件中的用途。

所述组合物的组分或成分可以通过气相沉积或从溶液加工。如果所述组合物从溶液施加，需要本发明组合物的制剂，所述制剂包含至少一种其它溶剂。这些制剂可以是例如溶液、分散液或乳液。为此目的，可以优选地使用两种或更多种溶剂的混合物。

因此，本发明还提供包含本发明的组合物和至少一种溶剂的制剂。

适合和优选的溶剂是例如甲苯、苯甲醚、邻-，间-或对-二甲苯、苯甲酸甲酯、均三甲苯、四氢化萘、藜芦醚、THF、甲基THF、THP、氯苯、二

所述制剂还可以包含至少一种同样地被用于所述电子器件的其它有机或无机化合物，特别是发光化合物，特别是磷光发光体和/或其它基质材料。适合的发光化合物和其它基质材料已在上文详述。

本发明还提供了所述本发明的组合物在有机电子器件中、优选地在电子传输性层和/或发光层中的用途。

所述有机电子器件优选地选自有机集成电路(OIC)、有机场效应晶体管(OFET)、有机薄膜晶体管(OTFT)、有机电致发光器件、有机太阳能电池(OSC)、有机光学检测器和有机光感受器，特别优选地是有机电致发光器件。

对于本发明组合物的用途非常特别优选的有机电致发光器件是有机发光晶体管(OLET)、有机场猝熄器件(OFQD)、有机发光电化学电池(OLEC、LEC、LEEC)、有机激光二极管(O-laser)和有机发光二极管(OLED)；OLEC和OLED特别是优选的且OLED是最优选的。

优选地，如上所述或描述为优选的本发明组合物在电子器件中的具有电子传输性功能的层中使用。所述层优选地是电子注入层(EIL)、电子传输层(ETL)、空穴阻挡层(HBL)和/或发光层(EML)，更优选地是ETL、EIL和/或EML。最优选地，所述本发明组合物在EML中使用，特别是作为基质材料。

因此，本发明还提供了有机电子器件，其特别选自上述电子器件中的一种并且其优选地在发光层(EML)中、在电子传输层(ETL)中、在电子注入层(EIL)中和/或在空穴阻挡层(HBL)中，非常优选地在EML、EIL和/或ETL中，且最优选地在EML中，包含如上所述或描述为优选的本发明组合物。

当所述层是发光层时，其特别优选地是磷光层，所述磷光层的特征在于其除了包含如上所述或描述为优选的组合物之外，还包含磷光发光体，特别是来自表6或7的发光体或如上所述的优选发光体。

因此，在本发明的一个特别优选实施方式中，所述电子器件式有机电致发光器件，最优选地是在发光层(EML)中包含如上所述或描述为优选的本发明组合物以及磷光发光体的有机发光二极管(OLED)。

基于发光体和基质材料的总组合物，本发明的优选实施方式和发光化合物的组合物包含优选地在99.9体积％和1体积％之间、更优选地在99体积％和10体积％之间、特别优选地在98体积％和60体积％之间、非常特别优选地在97体积％和80体积％之间的基质材料，所述基质材料由根据优选实施方式的至少一种式(1)化合物和至少一种式(2)化合物构成。相应地，基于发光体和基质材料的总组合物，所述组合物优选地包含在0.1体积％和99体积％之间、还优选地在1体积％和90体积％之间、更优选地在2体积％和40体积％之间、最优选地在3体积％和20体积％之间的发光体。如果所述化合物从溶液加工，优选地是使用重量％的相应量而不是上述具体说明的体积％的量。

在阴极、阳极和包含本发明组合物的层之外，电子器件可包含其它层。这些层在每个情形中选自例如一个或多个空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、发光层、电子传输层、电子注入层、电子阻挡层、激子阻挡层、中间层、电荷产生层(IDMC 2003，中国台湾；Session21OLED(5)，T.Matsumoto,T.Nakada,J.Endo,K.Mori,N.Kawamura,A.Yokoi,J.Kido,具有电荷产生层的多光子有机EL器件)和/或有机或无机的p/n结。然而，应当指出，这些层中的每一个不必都存在。

有机电致发光器件中的层的顺序优选如下：阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极。

这样层的顺序是优选的顺序。

同时，应当再次指出，不是所有提及的层都需要存在和/或可以额外存在其它的层。

包含所述本发明组合物的有机电致发光器件可以包含多个发光层。更优选地，在此情形中的这些发光层总体上具有多个在380nm和750nm之间的发光最大值，因此总体的结果是白色发光；换言之，在所述发光层中使用了多种可以发荧光或发磷光并且发蓝光或黄光或橙光或红光的发光化合物。特别优选地是三层体系，即具有三个发光层的体系，其中所述三个层显示蓝色、绿色和橙色或红色发光(关于基础构造，参见例如WO2005/011013)。应当注意，为了产生白光，单独使用在宽波长范围发光的发光体化合物而不是多种颜色光的发光体化合物也可以是适合的。

如在本发明的有机电致发光器件的空穴注入或空穴传输层或电子阻挡层或在电子传输层可用的适合的电荷传输材料是例如公开于Y.Shirota等，Chem.Rev.，2007,107(4),953-1010的化合物，或是根据现有技术在这些层中使用的其它化合物。

用于电子传输层的材料可以是根据现有技术在电子传输层中被用作电子传输材料的任何材料。特别适合的是铝络合物例如Alq

优选的空穴传输材料特别是可用于空穴传输、空穴注入或电子阻断层中的材料，例如茚并芴胺衍生物(例如根据WO 06/122630或WO06/100896)、EP 1661888中公开的胺衍生物，六氮杂联三苯叉衍生物(例如根据WO 01/049806)、具有稠合芳族体系的胺衍生物(例如根据US5061569)、WO 95/09147中公开的胺衍生物、单苯并茚并芴胺(例如根据WO 08/006449)、二苯并茚并芴胺(例如根据WO 07/140847)、螺二芴胺(例如根据WO 2012/034627或尚未公开的EP 12000929.5)、芴胺(例如根据WO 2014/015937、WO 2014/015938和WO2014/015935)、螺二苯并吡喃胺(例如根据WO 2013/083216)和二氢吖啶衍生物(例如WO2012/150001)。

电子器件的优选阴极是具有低逸出功的金属、由多种金属例如碱土金属、碱金属、主族金属或镧系元素(例如Ca、Ba、Mg、Al、In、Mg、Yb、Sm等)构成的金属合金或多层结构。此外，适合的是由碱金属或碱土金属和银构成的合金，例如由镁和银构成的合金。在多层结构的情形下，除了上述金属之外，它也可以使用具有相对高逸出功的其它金属，例如Ag或Al，在此情形中通常使用例如金属的组合诸如Ca/Ag、Mg/Ag或Ba/Ag。也可以优选地在金属阴极和所述有机半导体之间引入具有高介电质常数的材料的薄中间层。用于此目的的有用材料的实例是碱金属或碱土金属氟化物，以及相应的氧化物或碳酸盐(例如LiF、Li

优选的阳极是具有高逸出功的材料。优选地，相对于真空，阳极的逸出功大于4.5ev。首先，具有高氧化还原电位的金属适合于此目的，例如Ag、Pt或Au。其次，金属/金属氧化物电极(例如Al/Ni/NiO

由于在水和/或空气存在下本发明的器件的使用寿命缩短，因此在生产过程中，有机电子器件被适当地(根据应用)结构化、设置接触连接并最终密封。

在其它优选实施例中，包含本发明组合物的有机电子器件的特征在于，通过升华方法涂覆包含本发明组合物的一个或多个有机层。在此情形下，在真空升华系统中以小于10

同样优选地是以下有机电致发光器件，其特征在于通过OVPD(有机气相沉积)方法或借助于载气升华来涂覆一层或多层。在此情形下，所述材料在10

此外优选的是以下有机电致发光器件，其特征在于，其中包含本发明组合物的一个或多个有机层从溶液产生，通过例如旋涂或通过任何印刷方法例如丝网印刷、柔性版印刷、喷嘴印刷或胶板印刷，但更优选地LITI(光诱导热成像、热转移印刷)或喷墨印刷。为了这个目的，需要本发明组合物的组分的可溶化合物。通过相应化合物的合适取代可实现高溶解度。从溶液加工的优点在于，可以以非常简单和廉价的方式施加包含本发明组合物的层。这种技术特别适合于有机电子器件的大规模生产。

此外，混合方法是可以的，例如其中一个或多个层通过从溶液施加且一个或多个其它层通过气相沉积施加。

总体而言，这些方法是本领域的技术人员已知的并可以被应用于有机电致发光器件。

因此，本发明还提供了一种生产包含如上所述或描述为优选的本发明组合物的有机电子器件的方法，其特征在于至少一个包含本发明组合物的有机层通过气相沉积、特别是通过升华方法和/或通过OVPD(有机蒸汽气相沉积)方法和/或借助于载气升华施加，或者从溶液中、特别是通过旋涂或通过印刷方法来施加。

在通过气相沉积的方法的有机电子器件生产中，原则上有两种方法，通过所述方法可以对任何基底施加或通过气相沉积施加将包含本发明组合物且可以包含多种不同组分的有机层。首先，所用的材料在材料来源中最初可以各自带电荷且最终从不同材料来源中蒸发(“共蒸发”)。第二，可以预混合多种材料且可以在最终蒸发的单一材料来源中使所述混合物带电荷(“预混合蒸发”)。用这种方法，可以以简单和快速的方式实现具有均匀分布的组分的层的气相沉积，而不需要大量材料来源的精确驱动。

因此，本发明还提供了一种方法，其特征在于至少一种如上所述或描述为优选的式(1)化合物和至少一种如上所述或描述为优选的式(2)化合物是从至少两个材料来源，任选地与其它如上所述或描述为优选的材料一起，连续地或同时地从气相沉积，形成所述有机层。

在本发明的一个优选实施方式中，通过气相沉积的方法施加所述至少一个有机层，其中预混合所述组合物的组分并从单一材料来源蒸发。

因此，本发明还还提供了一种方法，其特征在于利用如上所述或描述为优选的本发明组合物作为主体体系的气相沉积的材料来源，并任选地与其它材料一起，形成所述有机层。

本发明还提供了一种生产包含如上所述或描述为优选的本发明组合物的有机电子器件的方法，其特征在于如上所述的本发明制剂被用于施加所述有机层。

本发明组合物和本发明器件相比于现有技术的特征在于以下令人吃惊的优势：

在有机电子器件、特别是在有机电致发光器件、且特别在OLED或OLEC中使用本发明组合物导致所述器件寿命的显著增加。

在有机电子器件、特别是在有机电致发光器件、且特别在OLED或OLEC中使用本发明组合物同样导致所述器件的效率和/或工作电压的显著增加。

如在下文给出的实施例1中清楚的，可以通过使用现有技术的化合物、例如化合物SoA1，在EML中以12％的低发光体浓度实现良好的电压和效率。然而，所述组分的寿命是短的。

如来自表10的实施例的示意性数字可见，可以通过如上所述的式(1)化合物与如上所述的式(2)化合物的创造性组合来实现10％至40％、例如12％至37％的寿命的改善，以及工作电压的可比较的增加和可比较的或改善的电流效率。

可以优选地通过如上所述的式(1)化合物与如上所述的式(2)化合物的创造性组合在发光层中以2重量％至15重量％的发光体浓度，来实现寿命的改善以及可比较的工作电压和可比较的或改善的电流效率。

与比较实施例的不同在于电子传输性主体的电子结构不同，化合物1和6与比较化合物SoA1的电子结构不同，如表9所示。

以本领域的技术人员不能预见的方式，直接或通过连接体键合于所述二苯并呋喃/二苯并噻吩的咔唑与螺二芴的置换导致电子器件、特别是OLED寿命的改善，约10％至40％。

以本领域的技术人员不能预见的方式，在所述二苯并呋喃或二苯并噻吩的1号位和8号位的连接，相比于在所述二苯并呋喃或二苯并噻吩的4号位或6号位的连接，导致电子器件寿命的改善。

相比于如上所述来自现有技术的化合物，本发明的组合物在发光层中的使用具有非常良好的稳定性且呈现出改善的性能数据，特别是关于寿命、工作电压和/或电流效率。

本发明的组合物可以容易地被加工并因此具有对于商用大规模生产的非常良好的稳定性。

可以预混合并从单一材料来源气相沉积本发明的组合物，且可以以简单和快速的方式生产具有均匀分布的所用组分的有机层。

上述这些优势没有伴随电子器件中其它电子性能的恶化。

应当指出，本发明的范围涵盖本发明所述的实施方式的变体。任何公开于本发明的特征，除非明显地被排除，否则可以被置换为其它达到相同目的或相等或相似目的的特征。因此，任何公开于本发明的特征，除非另有说明，否则应当被认为是来自于通用系列的实例或是相等或相似特征。

本发明的所有特征可以以任何方式彼此结合，除非特定的特征和/或步骤是互相排斥的。这对于本发明的优选特征更是如此。此外，非必要组合的特征可以分开(且不以组合)使用。

本发明公开的技术教导可以被抽象出来并与其它实施例结合。

通过以下实施例更加详细地说明了本发明，而没有任何由此限制它的目的。

通用方法：

轨道能量和电子态的测定

通过量子化学计算测定所述材料的HOMO和LUMO能量以及三重态能级和单重态能级。为了这个目的，在本申请中，使用了“Gaussian09，修改版D.01”软件包(GaussianInc.)。为了计算没有金属的有机物质(称作“org.”方法)，通过电荷0和多重性1的半经验方法AM1(Gaussian输入行“#AM1 opt”)首先进行了几何结构优化。随后，在优化的几何结构的基础上，对电子基态和三重态能级进行了(单点)能量计算。这通过使用TDDFT(含时密度泛函理论)方法B3PW91和6-31G(d)基集(高斯输入行“#B3PW91/6-31G(d)td＝(50-50,nstates＝4)”)(电荷0、多重性1)完成。对于有机金属化合物(称作“M-org.”方法)，通过Hartree-Fock方法和LanLMB基集(Gaussian输入行“#HF/LanL2MB opt”)(电荷0、多重性1)来优化其几何结构。如上所述，类似于用于有机物质的方法，进行能量计算，区别在于对金属原子使用“LanL2DZ”基集，对配体使用“6-31G(d)”基集(Gaussian输入行“#B3PW91/gen pseudo＝lanl2td＝(50-50,nstates＝4)”)。从能量计算，以Hartree为单位获得了被两个电子占据的最后轨道HOMO(αocc.本征值)和第一未占据轨道LUMO(αvirt.本征值)，其中HEh和LEh分别代表以Hartree为单位的HOMO能量和一Hartree为单位的LUMO能量。用此来测定HOMO和LUMO值(以电子伏特计)，通过循环伏安法测量来校准，如下：

HOMO(eV)＝(HEh*27.212)*0.8308-1.118；

LUMO(eV)＝(LEh*27.212)*1.0658-0.5049。

材料的三重态能级T1被定义为具有在量子化学能量计算中发现的最低能量的三重态的相对激发能量(以eV计)。

材料的单重态能级S1被定义为具有在量子化学能量计算中发现的第二低能量的单重态的相对激发能量(以eV计)。

能量最低的单重态被称作S0。

本文描述的方法独立于所用的软件包，并总是给出同样的结果。为了这个目的经常使用的软件的实例是“Gaussian09”(Gaussian Inc.)和Q-Chem4.1(Q-Chem,Inc.)。在本申请中，使用软件包“Gaussian09，修改版D.01”计算所述能量。

实施例1：OLED的生产

以下(见表8)实施例V1至E10呈现了本发明的材料组合在OLED中的用途。

对实施例V1至E10的预处理：涂有厚度为50nm的结构化ITO(氧化锡铟)的玻璃板在涂覆前首先用氧等离子体处理，然后用氩等离子体处理。这些等离子体处理后的玻璃板形成了向其施加OLED的基底。

所述OLED基本上具有以下层结构：基底/空穴注入层(HIL)/空穴传输层(HTL)/电子阻挡层(EBL)/发光层(EML)/任选的空穴阻挡层(HBL)/电子传输层(ETL)/任选的电子注入层(EIL)和最后的阴极。所述阴极由厚度为100nm的铝层形成。OLED的确切结构见表8。生产OLED所需的材料示于表9。OLED的数据列于表10。实施例V1至V8是根据现有技术的比较实施例；实施例E1至E10示出了本发明的OLED的数据。

所有的材料是在真空室中通过热气相沉积来施加。在此情形下，所述发光层总是由至少一种基质材料(主体材料)(为了本发明的目的的至少两种基体材料)和发光掺杂剂(发光体)组成，所述发光掺杂剂是通过共蒸发以特定的体积比例添加至基质材料中。以SoA1:CoH1:TEG1(45％:45％:10％)形式给出的细节在本文中表示材料SoA1以45体积％的比例、CoH1以45％的比例且TEG1以10％的比例存在于所述层中。类似地，所述电子传输层也可以由两种材料的混合物组成。

以标准的方式表征所述OLED。为了这个目的，测量了电致发光光谱和作为亮度的函数的电流效率(SE，以cd/A测量)和寿命，所述亮度是从假定Lambertian发光特征的电流-电压-亮度特征计算。在10mA/cm

所述寿命LD被定义为在恒定电流密度j

本发明混合物在OLED中的用途

本发明的材料组合可以用于磷光绿色OLED的发光层中。化合物1和6与化合物15、19、23、26或27的创造性组合在实施例E1至E10中被用作发光层中的基质材料。

表8：OLED的结构

表9：用于OLED的材料的结构式

表10：OLED的数据

实施例2：本发明化合物的合成

a)2-{12-氯-8-氧杂三环[7.4.0.0

在1000ml的二

以类似的方式，可以获得以下化合物：

b)2,4-二苯基-6-[12-(3-{9,9’-螺二[芴]-7-基}苯基)-8-氧杂三环[7.4.0.0

在800ml的二

以类似的方式，可以获得以下化合物：