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International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems
International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems
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1.
Breakdown mechanisms limiting the operation of double doped PHEMTs scaled into sub-100 nm dimensions
机译:
击穿机制限制双掺杂PHEMT的操作缩放为亚100nm尺寸
作者:
K. Kalna
;
A. Asenov
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
2.
Chemical beveling of Si/SiGe structures for structure and material analysis by Raman spectroscopy
机译:
Si / SiGe结构的化学斜线结构和材料分析拉曼光谱
作者:
R. Srnanek
;
R. Kinder
;
D. Donoval
;
L. Peternai
;
I. Novotny
;
J. Geurts
;
D. S. Mc Phail
;
R. Chater
;
A. Nemcsics
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
3.
Physical and structural characterization of NiO films for gas detection
机译:
天然气检测NiO薄膜的物理和结构特征
作者:
J. Kremmer
;
I. Hotovy
;
V. Rehacek
;
J. Siroky
;
L. Spiess
;
J. Schawohl
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
4.
Generation of 460 GHz radiation by photomixing in low-temperature-grown MBE GaAs
机译:
低温生长的MBE GaAs的光掩模生成460 GHz辐射
作者:
M. Mikulics
;
F. Siebe
;
A. Fox
;
M. Marso
;
A. Forster
;
H. Stuer
;
F. Schafer
;
R. Gusten
;
P. Kordos
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
5.
Charge properties of MIS structures Ni-Dy{sub}xO{sub}x-n-Si (100)
机译:
MIS结构的电荷属性Ni-Dy {sub} xo {sub} x-n-si(100)
作者:
Natalia V. Babushkina
;
Sergei A. Malyshev
;
Lidia I. Romanova
;
Alexander L. Chizh
;
Dmitri V. Zhygulin
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
6.
Heat transfer modeling in metal-semiconductor structures
机译:
金属半导体结构中的传热建模
作者:
G. Khlyap
;
P. Sydorchuk
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
7.
Manufacturing of pixel detectors at tesla SEZAM
机译:
特斯拉塞扎姆的像素探测器的制造
作者:
Martin Frys
;
Stanislav Kapsia
;
Zdenek Spetik
;
Vlastimil Jurka
;
Vaclav Vrba
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
8.
Formation of YBa{sub}2Cu{sub}3O{sub}(7-x)/MgO and YBa{sub}2Cu{sub}3O{sub}(7-x)/Si thin film structure by laser pulse crystallisation and annealing
机译:
通过激光脉冲结晶和退火形成,形成YBA {sub} 2cu {sub} 3o {sub} 3o {sub}(7-x)/ mgo和yba {sub} 3o {sub}(7-x)/ si薄膜结构
作者:
Bohdan K. Kotlyarchuk
;
Viktor K. Savchuk
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
9.
Formation of YBa/sub 2/Cu/sub 3/O/sub 7-x//MgO and YBa/sub 2/Cu/sub 3/O/sub 7-x//Si thin film structure by laser pulse crystallisation and annealing
机译:
通过激光脉冲结晶和退火形成YBA / SUB 2 / CU / SUP 3 / O / SUB 7-X / SUM和YBA / SUB 2 / CU / SUP 3 / O / SUB 7-X // SI薄膜结构
作者:
Kotlyarchuk B.K.
;
Savchuk V.K.
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
关键词:
high-temperature superconductors;
yttrium compounds;
barium compounds;
superconducting thin films;
magnesium compounds;
silicon;
elemental semiconductors;
laser beam annealing;
crystallisation;
thermal stability;
amorphous state;
laser pulse crystall;
10.
Failure mechanism of power DMOS transistors under UIS stress conditions
机译:
UIS压力条件下电力DMOS晶体管的故障机制
作者:
A. Icaza-Deckelmann
;
G. Wachutka
;
J. Krumrey
;
F. Hirler
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
11.
Current-voltage characteristics of Schottky diodes: topology of relationships between relevant parameters
机译:
肖特基二极管的电流 - 电压特性:相关参数之间关系的拓扑
作者:
F. Srobar
;
O. Prochazkova
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
12.
Microwave GaAs Schottky diode
机译:
微波Gaas肖特基二极管
作者:
Petr Machac
;
V. Jenicek
;
J. Pangrac
;
K. Hoffmann
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
13.
Thermal resistance of the semiconductor structures for a photomixing device
机译:
用于光掩模装置的半导体结构的热阻
作者:
J. Darmo
;
F. Schafer
;
A. Forster
;
P. Kordos
;
R. Gusten
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
14.
Comparison of nonvolatile memory cells for molybdenum gate analog BeCMOS process
机译:
用于钼栅极模拟BECMOS工艺的非易失性存储器单元的比较
作者:
H. Ronkainen
;
K. Theqvist
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
15.
Volume Shrinking in Micro-Fluidic Self-Assembly
机译:
微流体自组装中的体积缩小
作者:
Jan Lienemann
;
Andreas Greiner
;
Jan G. Korvink
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
16.
Resonant tunnelling diodes for digital circuit applications
机译:
用于数字电路应用的谐振隧道二极管
作者:
Werner Prost
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
17.
Characterization of delta-doped GaAs grown by MOVPE
机译:
MOVPE增长的三角洲GaAs的特征
作者:
P. Gurnik
;
P. Beno
;
R. Srnanek
;
M. Tlaczala
;
B. Sciana
;
L. Harmatha
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
18.
Synthesis and investigation of nanocrystalline SiC properties in sensor applications
机译:
传感器应用中纳米晶SIC性能的合成与研究
作者:
Oleg A. Agueev
;
Nikolay N. Moskovchenko
;
Liudmila A. Svetlichnaya
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
19.
GMR signal of Co-Ag layered structures in dynamic conditions of measurement
机译:
Co-AG层叠结构的GMR信号在测量的动态条件下
作者:
Vladimir Ac
;
Branislav Anwarzai
;
Stefan Luby
;
Eva Majkova
;
Rudolf Senderak
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
关键词:
Layered Co-Ag structures;
GMR;
Magnetic field distribution;
20.
MSM diodes based on an AlGaN/GaN HEMT layer structure for varactor and photodiode application
机译:
基于AlGaN / GaN HEMT层结构的MSM二极管,用于变容二极管和光电二极管应用
作者:
M. Marso
;
J. Bernat
;
M. Wolter
;
P. Javorka
;
A. Fox
;
P. Kordos
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
21.
InGaAs/InP avalanche photodiodes with a thin multiplication layer
机译:
具有薄乘法层的Ingaas / Inp雪崩光电二极管
作者:
D. Hasko
;
F. Uherek
;
F. Mika
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
22.
Evaluation of δ-layer depth profiles detected on beveled semiconductor structures by micro Raman spectroscopy
机译:
通过微拉曼光谱法评估在斜面半导体结构上检测到的δ-层深度曲线
作者:
B. Rheinlander
;
R. Stnanek
;
J. Kovac
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
23.
Ti Zr dielectric layers deposited by hot target reactive magnetron sputtering
机译:
通过热目标反应磁控溅射沉积的TI ZR介电层
作者:
J. Domaradzki
;
E. Prociow
;
D. Kaczmarek
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
24.
New trends in thin-film silicon solar cell technology
机译:
薄膜硅太阳能电池技术的新趋势
作者:
Miro Zeman
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
25.
The effect of polyimide fixation on thermal performance of GaAs cantilever based MEMS - a 3D numerical analysis with DEETEN
机译:
聚酰亚胺固定对GaAs悬臂基的MEMS热性能的影响 - 用DEETEN的3D数值分析
作者:
Eduard Burian
;
Tibor Lalinsky
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
26.
Crosstalk analysis in CMOS integrated circuits
机译:
CMOS集成电路中的串扰分析
作者:
Jan Novak
;
Julius Foit
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
27.
High-performance AlGaN/GaN HEMTs on silicon substrates
机译:
硅基板上的高性能AlGaN / GaN Hemts
作者:
P. Javorka
;
A. Alam
;
A. Fox
;
M. Marso
;
M. Heuken
;
P. Kordos
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
28.
Chip size packages with wafer-level ball attach and their reliability
机译:
芯片尺寸封装,具有晶圆级球连接及其可靠性
作者:
Lubomir Cergel
;
Li Wetz
;
Beth Keser
;
Jerry White
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
29.
Interactions between phases and thermal stability of TiB{sub}x(ZrB{sub}x)-n-SiC 6H contacts
机译:
Tib {sub} x(zrb {sub} x)-n-siC 6h触点之间的相互作用和热稳定性之间的相互作用
作者:
S. K. Abdizhaliev
;
R. V. Konakova
;
Ya. Ya. Kudrik
;
P. M. Lytvyn
;
O. S. Lytvyn
;
V. V. Milenin
;
O. E. Rengevych
;
E. F. Venger
;
S. I. Vlaskina
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
30.
Investigation of current collapse in doped and undoped AlGaN/GaN HEMTs
机译:
掺杂和未掺杂的AlGaN / GaN Hemts中电流崩溃的调查
作者:
M. Wolter
;
P. Javorka
;
M. Marso
;
R. Carius
;
M. Heuken
;
H. Luth
;
P. Kordos
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
31.
Investigations of structural and electronic properties of TiO{sub}2-doped layers deposited by hot target reactive magnetron sputtering method
机译:
热靶反应磁控溅射法沉积的TiO {Sub} 2掺杂层的结构和电子性质的研究
作者:
E. Prociow
;
J. Domaradzki
;
D. Kaczmarek
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
32.
Automatic order reduction of thermo-electric models for MEMS: Arnoldi versus Guyan
机译:
MEMS热电模型的自动降低:Arnoldi与圭亚德
作者:
Tamara Bechtold
;
Evgenii B. Rudnyi
;
Jan G. Korvink
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
33.
Novel ratio conductance electrochemical sensor based on thin film asymmetric microelectrodes
机译:
基于薄膜不对称微电极的新比率电化学传感器
作者:
E. Vavrinsky
;
V. Tvarozek
;
I. Novotny
;
Z. Reznicek
;
D. Nikolelis
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
34.
A promising lead-free material for flip-chip bumps: Sn-Cu-RE
机译:
用于倒装芯片凸块的有前途的无铅材料:SN-CU-RE
作者:
C. M. Lawrence Wu
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
35.
Process steps for a double gate MOSFET with vertical layout
机译:
双栅MOSFET具有垂直布局的处理步骤
作者:
St. Trellenkamp
;
J. Moers
;
A. van der Hart
;
P. Kordos
;
H. Luth
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
36.
Sn/Pd/GaAs ohmic contacts with reactive metals
机译:
与反应金属的SN / PD / GaAs欧姆触点
作者:
P. Machac
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
37.
Epitaxy - close and far away from thermodynamic equilibrium
机译:
外延 - 关闭和远离热力学均衡
作者:
Sitter H.
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
关键词:
atomic layer epitaxial growth;
semiconductor growth;
semiconductor superlattices;
semiconductor quantum wells;
II-VI semiconductors;
organic semiconductors;
epitaxial growth;
hot-wall-epitaxy;
atomic layer epitaxy;
hot-wall-beam-epitaxy;
self-limitin;
38.
RF small-signal and power characterization of AlGaN/GaN HEMTs
机译:
AlGaN / GaN Hemts的RF小信号和功率表征
作者:
A. Fox
;
M. Marso
;
P. Javorka
;
P. Kordos
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
39.
A 0.35μm CMOS linear differential amplifier independent of threshold voltage
机译:
一个0.35μm的CMOS线性差分放大器与阈值电压无关
作者:
C. Popa
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
40.
Investigation of 4H-SiC diode with RuO{sub}2 Schottky contact by DLTS
机译:
DLTS与Ruo {Sub} 2肖特基联系的4H-SIC二极管
作者:
L. Stuchlikova
;
L. Harmatha
;
D. Buc
;
U. Helmersson
;
Q. Wahab
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
41.
Photoluminescence characterization of bismuth-doped GaSb
机译:
铋掺杂气体的光致发光表征
作者:
Michal Kucera
;
Jozef Novak
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
42.
Thin low-temperature gate oxides for vertical field-effect transistors
机译:
用于垂直场效应晶体管的薄低温栅极氧化物
作者:
M. Goryll
;
J. Moers
;
St. Trellenkamp
;
L. Vescan
;
M. Marso
;
P. Kordos
;
H. Luth
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
43.
Studies of dielectric characteristics of spin-coated polyimide films
机译:
旋涂聚酰亚胺膜的介电学特性研究
作者:
L. Matay
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
44.
Set-up for combinatorial electrochemical synthesis and high-throughput investigation of organic semiconductor polymers for electronic devices
机译:
用于组合电化学合成的组合电化学合成及电子器件有机半导体聚合物的高通量研究
作者:
Valentin Kulikov
;
Qingli Hao
;
Daniel Donoval
;
Vladimir M. Mirsky
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
45.
Deep reactive ion etching of silicon using an aluminum etching mask
机译:
使用铝蚀刻掩模的硅的深反应离子蚀刻
作者:
Wei-Chih Wang
;
Joe Nhut Ho
;
Per Reinhall
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
46.
ZrO{sub}2 and ZrO{sub}2/Y{sub}2O{sub}3 gate dielectrics prepared by evaporation and annealing processes
机译:
通过蒸发和退火过程准备的ZrO {Sub} 2和ZrO {Sub} 2 / Y {Sub} 2O {Sub} 3栅极电介质
作者:
M. Johansson
;
M. Y. A. Yousif
;
A. Sareen
;
P. Lundgren
;
S. Bengtsson
;
U. Sodervall
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
47.
Analysis of I-V measurements on Pt/Au-GaN Schottky contacts in a wide temperature range
机译:
宽温度范围内Pt / Au-GaN肖特基触点I-V测量分析
作者:
D. Donoval
;
V. Kulikov
;
P. Beno
;
J. Racko
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
48.
Optical properties investigations of organic Alq{sub}3 layers doped by DCM
机译:
DCM掺杂有机ALQ {SUB} 3层的光学特性研究
作者:
J. Jakabovic
;
T. C. Wong
;
O. Lengyel
;
J. Kovac
;
C. S. Lee
;
S. T. Lee
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
49.
Strain and composition in thin SiGe buffer layers with high Ge content studied by micro-Raman spectroscopy
机译:
薄SiGe缓冲层中的菌株和组合物,通过微拉曼光谱研究了高GE含量的高GE含量
作者:
T. S. Perova
;
K. Lyutovich
;
D. Potapova
;
C. P. Parry
;
E. Kasper
;
R. A. Moore
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
50.
Interfacing chemistry with microdevices: potential and challenges of chemical microsensors
机译:
与微生物的连接化学:化学微传感器的潜力和挑战
作者:
Boris Mizaikoff
;
Christine Kranz
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
51.
Profiling of a GaAs structure using the probe method
机译:
使用探针方法分析GaAs结构
作者:
R. Kinder
;
R. Srnanek
;
J. Walachova
;
L. Hulenyi
;
M. Tlaczala
;
B. Sciana
;
D. Radziewicz
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
52.
Macromodeling of fluidic damping effects in microdevices
机译:
Microdevice中流体阻尼效应的大规模
作者:
Gerhard Wachutka
;
Gabriele Schrag
;
Robert Sattler
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
53.
EKV compact model extension for HV lateral DMOS transistors
机译:
用于HV侧面DMOS晶体管的EKV紧凑型型号
作者:
N. Hefyene
;
J. M. Sallese
;
C. Anghel
;
A. M. Ionescu
;
S. F. Frere
;
R. Cillon
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
54.
Electron emission from diamond layer on tungsten wire measured in cylindrical electrode configuration
机译:
在圆柱电极配置中测量的钨丝中的金刚石层电子发射
作者:
J. Janik
;
F. Balon
;
A. Kromka
;
V. Dubravcova
;
M. Kadlecikova
;
P. Krepsova
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
55.
Liquid phase silylation of shipley SPR500A-series resists using top surface imaging
机译:
使用顶面成像的Shipley SPR500A系列抗液相鳞片化抗蚀剂
作者:
K. Arshak
;
M. Mihov
;
A. Arshak
;
D. McDonagh
;
D. Sutton
;
S. B. Newcomb
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
56.
Raman spectroscopy of Si/sub x/Ge/sub 1-x/ compositional and temperature dependence
机译:
Si / sub x / ge / sub 1-x /组成和温度依赖性的拉曼光谱学
作者:
Lorenc M.
;
Sik J.
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
关键词:
Ge-Si alloys;
semiconductor materials;
boron;
heavily doped semiconductors;
Raman spectra;
phonon spectra;
stoichiometry;
hole density;
localised modes;
Raman spectroscopy;
compositional dependence;
temperature dependence;
optical phonon modes;
Si/su;
57.
An analytical heterojunction diode model including the electron transport inside the depletion layer and the breakdown
机译:
包括耗尽层内的电子传输的分析异质结二极管模型和击穿
作者:
M. Horak
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
58.
Photoconductive terahertz emitter with an integrated semiconductor Bragg mirror
机译:
具有集成半导体布拉格镜的光电导焦音发射器
作者:
J. Darmo
;
T. Muller
;
G. Strasser
;
K. Unterrainer
;
T. Le
;
G. Tempea
;
A. Stingl
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
59.
Thin films for electrochemical sensoric interfaces
机译:
用于电化学传感器界面的薄膜
作者:
A. Jakubec
;
V. Rehavek
;
I. Novotny
;
R. Ivanic
;
V. Tvarozek
;
Ch. Knedlik
;
V. Breternitz
;
L. Spiess
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
60.
New numerical power IGBT model and simulation of its electrical characteristics
机译:
新的数值功率IGBT模型及其电气特性模拟
作者:
Ly. Benbahouche
;
S. Latrech
;
C. Gontrand
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
61.
A 0.35/spl mu/m CMOS linear differential amplifier independent of threshold voltage
机译:
0.35 / SPL MU / M CMOS线性差分放大器与阈值电压无关
作者:
Popa C.
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
关键词:
CMOS integrated circuits;
differential amplifiers;
SPICE;
CMOS linear differential amplifier;
gate-source voltages;
circuit linearization;
SPICE simulation;
BSIM3v3 model;
0.35 micron;
62.
Numerical simulation of parameters of ZnCdHgTe films and ZnCdHgTe-based heterostructures
机译:
ZnCDHGTE薄膜参数的数值模拟和基于ZnCDHGTE的异质结构
作者:
G. Khlyap
;
P. Sydorchuk
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
63.
ZrO/sub 2/ and ZrO/sub 2//Y/sub 2/O/sub 3/ gate dielectrics prepared by evaporation and annealing processes
机译:
通过蒸发和退火过程制备的ZrO / Sub 2 /和ZrO / Sub 2 // Y / Sub 2 / O / Sub 3 /栅极电介质
作者:
Johansson M.
;
Yousif M.Y.A.
;
Sareen A.
;
Lundgren P.
;
Bengtsson S.
;
Sodervall U.
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
关键词:
zirconium compounds;
yttrium compounds;
annealing;
secondary ion mass spectra;
mass spectroscopic chemical analysis;
MOS capacitors;
electron beam deposition;
permittivity;
diffusion;
ZrO/sub 2//Y/sub 2/O/sub 3/ gate dielectrics;
ZrO/sub 2/ gate diel;
64.
Terahertz Bloch oscillations in semiconductor superlattices
机译:
半导体超晶格中的Terahertz Bloch振荡
作者:
Helena Moravcova
;
Jan Voves
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
65.
Superior-order Curvature-correction CMOS
机译:
高级曲率校正CMOS
作者:
C. Popa
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
66.
CMOS scaling to 25 nm gate lengths
机译:
CMOS缩放到25 nm门长度
作者:
S. Kubicek
;
K. De Meyer
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
67.
Epitaxy-close and far away from thermodynamic equilibrium
机译:
基于近距离和远离热力学平衡
作者:
H. Sitter
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
68.
Carrier noise in mode-locked fiber grating external cavity lasers
机译:
模式锁定光纤光栅外腔激光器中的载波噪声
作者:
Nuran Dogru
;
M. Sadettin Ozyazici
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
69.
Microstructure of indium-tin-oxide films deposited on glass substrates
机译:
涂覆在玻璃基板上的铟锡氧化膜的微观结构
作者:
P. Sutta
;
Q. Jackuliak
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
70.
Optical gain in GaInNAs/GaAs multi-quantum well structures
机译:
GAINNAS / GAAS多量子井结构中的光学增益
作者:
J. Kvietkova
;
M. Hetterich
;
D. Saez de Jauregui
;
A. Yu
;
Egorov
;
H. Riechert
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
71.
MOVPE growth of 1220 nm (In,Ga)(As,P)/InP LED structures
机译:
MOVPE生长1220 nm(in,ga)(AS,P)/ INP LED结构
作者:
R. Kudela
;
M. Kucera
;
D. Gregusova
;
V. Cambel
;
J. Novak
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
72.
PECVD nitrogen doped a-SiC:H films properties
机译:
PECVD氮掺杂A-SiC:H薄膜性质
作者:
J. Huran
;
I. Hotovy
;
A. P. Kobzev
;
N. I. Balaykin
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
73.
Auger investigations of GaAs sputtered with low-energy Ar{sup}+ ions at glancing incidence
机译:
在闪光发病率下用低能量Ar {sup} +离子刺激GaAs的刺激研究
作者:
R. Kosiba
;
G. Ecke
;
J. Breza
;
J. Liday
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
74.
Raman spectroscopy of Si{sub}xGe{sub}(1-x) compositional and temperature dependence
机译:
Si {sub} XGE {Sub}(1-x)组成和温度依赖性的拉曼光谱学
作者:
M. Lorenc
;
J. Sik
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
75.
Superior-order curvature-correction CMOS smart temperature sensor
机译:
高级曲率校正CMOS智能温度传感器
作者:
Popa C.
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
关键词:
temperature sensors;
CMOS integrated circuits;
intelligent sensors;
smart temperature sensor;
exponential curvature-corrected CMOS bandgap reference;
analog core;
interconnection costs;
I/sup 2/C interface;
76.
Photoenhanced wet etching of gallium nitride on submicrometer scale
机译:
含氮化镓对亚脉管刻度的光素展示湿法蚀刻
作者:
J. Skriniarova
;
A. van der Hart
;
H. P. Bochem
;
A. Fox
;
P. Kordos
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
77.
Role of minority carrier extraction in performance of radiation detectors based on semi-insulating GaAs
机译:
少数型载波提取在基于半绝缘GaAs的辐射探测器性能下的作用
作者:
F. Dubecky
;
B. Zatko
;
V. Necas
;
M. Sekacova
;
J. Huran
;
P. Bohacek
;
C. Ferrari
;
P. Kordos
;
A. Forster
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
78.
Modelling of the photodiode in various microwave applications
机译:
各种微波应用中光电二极管的建模
作者:
Alexander L. Chizh
;
Sergei A. Malyshev
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
79.
Stimulation of diamond growth on optically transparent non-conductive substrates
机译:
在光学透明的非导电基材上刺激金刚石生长
作者:
M. Kadlecikova
;
J. Breza
;
M. Vesely
;
V. Luptakova
;
F. Balon
;
A. Vojackova
;
J. Kral
;
J. Janik
;
A. Kromka
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
80.
Design of strain gauge structure
机译:
应变仪结构设计
作者:
M. Husak
;
P. Kulha
;
J. Jakovenko
;
Z. Vyborny
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
81.
RF power transistor design in standard digital CMOS technology
机译:
标准数字CMOS技术中的RF功率晶体管设计
作者:
Martin Tomaska
;
Martin Krnac
;
Rastislav Vazny
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
82.
Diamond and cubic boron nitride: synthesis and electronic applications
机译:
钻石和立方体氮化物:合成和电子应用
作者:
I. Bello
;
W. J. Zhang
;
K. M. Chan
;
C. Y. Chan
;
Y. Wu
;
F. Meng
;
C. W. Lam
;
J. Liu
;
W. Y. Luk
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
83.
Modeling of the inverse base width modulation effect in SiGe base HBT for circuit simulation
机译:
基于电路仿真的SiGe基础HBT中逆基宽调制效果的建模
作者:
Tatjana Pesic
;
Nebojsa Jankovic
;
Jugoslav Karamarkovic
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
84.
Hysteresis effects due to eddy currents in the integer quantum hall regime probed by an SET-electrometer
机译:
由设定电镜探测的整数量子霍尔制度中涡流引起的滞后效应
作者:
T. Klaffs
;
D. Presnov
;
V. A. Krupenin
;
J. Huls
;
J. Weis
;
F. J. Ahlers
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
85.
Impedance measurements of chemical gas sensors
机译:
化学气体传感器的阻抗测量
作者:
Filip Vyslouzil
;
Martin Vrnata
;
Vladimir Myslik
;
Milan Kovanda
;
Rudolf Frycek
;
Miroslav Jelinek
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
86.
Some possibilities for determining the depth of the p-n junction and profiles of semiconductor layers
机译:
确定P-N结和半导体层的谱的深度的一些可能性
作者:
L. Hulenyi
;
R. Kinder
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
87.
Coplanar waveguide modeling based on scattering parameter measurements
机译:
基于散射参数测量的共面波导建模
作者:
M. Klasovity
;
M. Tomaska
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
88.
Evaluation of /spl delta/-layer depth profiles detected on beveled semiconductor structures by micro Raman spectroscopy
机译:
通过微拉曼光谱法检测到斜面半导体结构上检测到的/ SPL Delta / -Layer深度曲线的评估
作者:
Rheinlander B.
;
Srnanek R.
;
Kovac J.
会议名称:
《International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems》
|
2002年
关键词:
gallium arsenide;
III-V semiconductors;
doping profiles;
Raman spectra;
spectral line intensity;
phonons;
delta layer depth profiles;
beveled semiconductor structures;
micro Raman spectroscopy;
Raman intensities ratio;
LO phonons;
TO phonons;
GaAs;
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