碳化硅单晶制造装置及碳化硅单晶的制造方法

摘要

碳化硅单晶制造装置具备：筒形状的坩埚(9)，具有构成反应室的中空部；台座(10)，被配置在坩埚的中空部内，在一面设置SiC单晶(6)的生长用的籽晶(5)，并且配置籽晶的一面为圆形状。此外，具备：气体供给机构(2、3)，从比台座靠下方向籽晶的表面供给用来使SiC单晶生长的SiC原料气体(3a)；以及加热装置(12)，将SiC原料气体加热并分解。并且，具备：旋转机构(11)，通过使台座旋转，从而一边使籽晶旋转一边进行SiC单晶的生长；使台座的中心轴从该台座的旋转中心(R)偏心。