一种激光加热基座法制备CeF3单晶光纤的方法

摘要

本发明公开了一种激光加热基座法制备CeF3单晶光纤的方法，包括：将CeF3单晶切割成长棒并滚圆分别作为籽晶和料棒；将料棒固定于下进给装置上，将籽晶固定于上部提拉装置上，并控制料棒顶部截面中心置于激光加热中心使得第一料棒顶部熔融成半球状熔体；将籽晶接触料棒顶部的半球状熔体，保温5～10分钟后，开始提拉籽晶和馈送料棒，直至籽晶直径收缩至0.8mm后进行等径生长，得到直径为0.8mm的CeF3单晶光纤所述的单晶光纤由CeF3体块单晶制成。本发明所制备的CeF3单晶光纤直径为0.8mm，长度可达115mm。根据本发明，激光加热基座法(LHPG)生长CeF3单晶光纤，其熔点为1640℃，所生长的CeF3单晶光纤直径均匀，结晶度较好，具备较高的结晶质量。