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一种用于半导体激光器封装的过渡热沉结构及其使用方法

摘要

本发明公开了一种用于半导体激光器封装的过渡热沉结构及其使用方法,该用于半导体激光器封装的过渡热沉结构,包括热沉衬底,所述热沉衬底上表面开设有凹槽,所述热沉衬底上表面边缘开设有缺口,所述热沉衬底上侧焊接有LD芯片,所述LD芯片和热沉衬底平行,所述LD芯片和热沉衬底之间设置有焊料层,所述焊料层为矩形结构,所述LD芯片的光源发射口位于缺口的上方,本发明在热沉衬底上开设缺口,可有效避免过渡热沉底部遮挡LD芯片有源发光区的现象,降低人为操作以及机械精度带来的不可控的误差,便于将LD芯片贴合在热沉衬底上,且易于加工及大批量生产,可大幅度提升半导体激光器件的稳定性与可靠性。

著录项

  • 公开/公告号CN112103766A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-12-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 长春理工大学;

    申请/专利号CN202010811060.7

  • 发明设计人 许佩东;王斌;王勇;王宪涛;

    申请日2020-08-13

  • 分类号H01S5/024(20060101);

  • 代理机构11745 北京哌智科创知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人何浩

  • 地址 130000 吉林省长春市卫星路7089号

  • 入库时间 2023-06-19 09:13:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-04-25

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01S 5/024 专利申请号:2020108110607 申请公布日:20201218

    发明专利申请公布后的驳回

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