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集成电路系统构造、DRAM构造以及用于形成集成电路系统构造的方法

摘要

一种集成电路系统构造包括:包括集成电路系统的导电节点的衬底。导线结构在所述导电节点上方。竖向延伸的导电通路沿所述导线结构纵向间隔。所述导电通路将所述导线结构个别地直接电耦合到所述导电节点中的个别者。所述导线结构包括导电材料,其直接电耦合到所述导电通路并在纵向紧邻的所述导电通路之间延伸。上绝缘材料在所述纵向紧邻的导电通路之间的所述导电材料正下方。掺杂或未掺杂半导体材料在所述纵向紧邻的导电通路之间的所述上绝缘材料正下方。下绝缘材料在所述纵向紧邻的导电通路之间的所述半导体材料正下方。揭示包含方法的其它方面。

著录项

  • 公开/公告号CN112106197A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-12-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 美光科技公司;

    申请/专利号CN201980028837.8

  • 发明设计人 D·R·麦克马斯特;

    申请日2019-04-03

  • 分类号H01L27/108(20060101);

  • 代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人王龙

  • 地址 美国爱达荷州

  • 入库时间 2023-06-19 09:13:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-09-08

    发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):H01L27/108 专利申请号:2019800288378 申请公布日:20201218

    发明专利申请公布后的撤回

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