退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN112086527A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-15
原文格式PDF
申请/专利权人 中国计量大学;
申请/专利号CN202011179327.1
发明设计人 郝然;王三菲;甄政;汤开达;姜华卿;石岩;金尚忠;
申请日2020-10-29
分类号H01L31/0232(20140101);H01L31/102(20060101);
代理机构33329 杭州钤韬知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人唐灵;赵杰香
地址 310018 浙江省杭州市下沙高教园区学源街258号
入库时间 2023-06-19 09:13:40
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-15
授权
发明专利权授予
机译: 半导体元件双极晶体管,在漂移区和连接区之间具有电荷载流子补偿区,其中载流子补偿区的掺杂浓度大于连接区的浓度
机译: 带有带整体滤色器的单元的集成电路彩色芯片,该滤色器包括光电二极管的三元组,每个三元组都集成有用于从光电二极管读取和写入光电二极管的晶体管及其制造和操作方法
机译: 全反射式中继聚焦望远镜,取自无焦点三反射镜的前两个反射镜
机译:高饱和电流InGaAs / InAlAs电荷补偿单行进载流子光电二极管
机译:基于InP的超快光闸单片集成单行进载流子光电二极管和Mach-Zehnder调制器
机译:集成了全反射镜的高效组合载流子光电二极管
机译:使用全内反射镜将改进的单行进载流子光电二极管混合集成在多层氮化硅平台上
机译:高速GaAsSb-InP和InGaAs-InP单向载流子光电二极管的仿真与比较
机译:基于绝缘体上硅衬底的高响应性垂直照明Si / Ge单行进载流子光电二极管
机译:反射式脉冲辐射天线低频补偿的计算电磁研究。