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公开/公告号CN112084657A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-15
原文格式PDF
申请/专利权人 黑龙江科技大学;
申请/专利号CN202010940983.2
发明设计人 师楠;朱显辉;王书侠;苏勋文;汤旭日;吕品;吴禹衡;
申请日2020-09-09
分类号G06F30/20(20200101);G06F17/18(20060101);
代理机构11870 北京正华智诚专利代理事务所(普通合伙);
代理人李林合
地址 150022 黑龙江省哈尔滨市松北区浦源路2468号
入库时间 2023-06-19 09:12:09
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-06-10
授权
发明专利权授予
机译: 太阳能电池的I-V特性测量设备和I-V特性测量方法,以及录制有I-V特性测量设备的程序的记录介质
机译: 用于太阳能电池的I-V特性测量设备和I-V特性测量方法,以及记录有用于I-V特性测量设备的程序的记录介质
机译: 太阳能电池的I-V特性测量装置和I-V特性测量方法以及I-V特性测量装置的程序
机译:光伏电池的反向偏置特性对光伏组件I-V特性的影响,其中光伏电池降低了发电量
机译:光伏电池反向偏置特性对发电量降低的光伏组件I-V特性的影响
机译:不对称电极与纹理结构对晶体硅电池暗I-V特性的影响
机译:晶体硅太阳能电池I-V I-V特性的辐照度和翻译
机译:非晶硅/晶体硅异质结光伏电池的界面特性。
机译:通过金属氧化物大大提高了晶体硅太阳能电池的光伏性能
机译:由于费米能级换档的光伏电池I-V电池I-V特性的温度变化
机译:来自中国的晶体硅光伏电池和模块。调查编号701-Ta-481和731-Ta-1190(最终)。