公开/公告号CN112086388A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-15
原文格式PDF
申请/专利权人 北京智创芯源科技有限公司;
申请/专利号CN202010820726.5
发明设计人 不公告发明人;
申请日2020-08-14
分类号H01L21/673(20060101);H01L21/677(20060101);
代理机构11372 北京聿宏知识产权代理有限公司;
代理人吴大建;朱明明
地址 100176 北京市大兴区经济技术开发区经海三路106号1幢一层
入库时间 2023-06-19 09:12:09
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-05-13
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/673 专利申请号:2020108207265 申请公布日:20201215
发明专利申请公布后的驳回
机译: 通过在半导体晶片上沉积第一层间电介质膜,部分去除第一膜并在第一膜上沉积第二层间电介质膜来制造半导体器件
机译: 电介质膜的制造方法和金属绝缘体的制造方法具有该电介质膜的金属电容器和用于制造该电介质膜的间歇式原子层沉积装置
机译: 一种在腔室中通过cvd在半导体晶片上沉积层的方法以及一种在腔室中通过cvd在半导体晶片上沉积层的腔室