磁随机存取存储器（MRAM）中的磁攻击检测

摘要

一种集成电路包括具有多个MRAM单元的磁阻RAM(MRAM)阵列以及一组至少一个霍尔传感器电路，所述组中的每个霍尔传感器电路包括用于检测磁场的霍尔传感器。所述集成电路还包括磁处理电路系统，所述磁处理电路系统用于接收来自所述组至少一个霍尔传感器电路的至少一个指示。所述磁处理电路系统包括用于基于来自所述组的所述至少一个指示提供对所述MRAM阵列的可能磁场威胁的指示的输出。