一种基于被动式负阻结构的正交单边带混频装置

摘要

本发明公开了一种基于被动式负阻结构的正交单边带混频装置，属于半导体集成电路技术领域，该正交单边带混频装置包括第一单边带混频器(100)、第二单边带混频器(200)、第一缓冲器(300)和第二缓冲器(400)；其中，所述第一单边带混频器(100)包括第一混频电路(101)、第二混频电路(102)、第一加法电路(103)和第一被动式负阻(104)；所述第一被动式负阻(104)在小信号时呈正常的LC结构，Q值低，工作频率范围宽；在大信号时呈现负阻特性，等效负载Q值增加，频率选择性增强。本发明具有同时兼顾工作频率范围与频率选择性的优势。