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一种解决硅片单面扩散背面反渗的方法

摘要

本发明公开了一种解决硅片单面扩散背面反渗的方法,主要涉及硅片生产制造技术领域,包括硅片和贴紧在硅片扩散面的扩散源,还包括贴紧在硅片保护面的隔离膜,所述隔离膜由活性氧化铝粉料和粘合剂混合成的浆料喷涂和沉淀干燥制成的膜状物,隔离膜中的的活性氧化铝粉料吸收反型的气氛,解决了背面同时扩散相同物质的问题,可以做到扩散后背面减少或者不用吹砂或者研磨来去除。

著录项

  • 公开/公告号CN112002669A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-11-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 山东芯源微电子有限公司;

    申请/专利号CN202010913298.0

  • 发明设计人 汪良恩;王锡康;姜兰虎;孙爱华;

    申请日2020-09-03

  • 分类号H01L21/683(20060101);H01L21/225(20060101);

  • 代理机构37268 济南瑞宸知识产权代理有限公司;

  • 代理人吕艳芹

  • 地址 250200 山东省济南市章丘区清源大街北段路西

  • 入库时间 2023-06-19 09:03:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-11-18

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/683 专利申请号:2020109132980 申请公布日:20201127

    发明专利申请公布后的驳回

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