公开/公告号CN111971802A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-20
原文格式PDF
申请/专利权人 朗姆研究公司;
申请/专利号CN201980024522.6
发明设计人 衡石·亚历山大·尹;朱忠伟;
申请日2019-03-26
分类号H01L29/66(20060101);H01L29/78(20060101);H01L21/28(20060101);H01L21/02(20060101);H01L21/285(20060101);H01L21/324(20060101);H01L21/67(20060101);C23C16/455(20060101);
代理机构31263 上海胜康律师事务所;
代理人樊英如;张华
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-06-19 08:58:14
机译： 氮化物层改性氧化铪铁电性能
机译： 具有铪氧化物层和镧系元素氧化物层的NMOS和PMOS晶体管栅极
机译： 具有铪氧化物层和镧系元素氧化物层的NMOS和PMOS晶体管栅极
