测量半极性面Ⅲ族氮化物薄膜缺陷密度的方法及其应用

摘要

本发明公开了一种测量半极性面III族氮化物薄膜缺陷密度的方法及其应用。所述的方法包括：采用X射线衍射仪测量生长在异质衬底的半极性面III族氮化物薄膜，从而获得所述薄膜面内摇摆曲线半高宽极大值与薄膜的(10‑10)晶面、(20‑20)晶面、(30‑30)晶面的摇摆曲线半高宽与峰位值；计算获得其a型位错的半高宽展宽、其半极性面的层错间距LLcL对半高宽的加宽；计算获得其c型位错的半高宽展宽；以及，依据修正的位错密度计算公式得出a型、c型位错密度，获得所述薄膜半极性面缺陷密度。本发明提供的方法能够方便、快捷地获得半极性面III族氮化物薄膜的位错密度，利于进行半极性面III族氮化物薄膜生长技术的快速反馈调控，同时其具有廉价、无损等优点。