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化学机械抛光组合物以及优先于二氧化硅抛光氮化硅并同时抑制对二氧化硅的损伤的方法

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摘要

一种酸性化学机械抛光组合物，其优先于二氧化硅抛光氮化硅并同时抑制对所述二氧化硅的损伤。所述酸性化学机械抛光组合物包括聚乙烯吡咯烷酮聚合物、阴离子官能胶体二氧化硅磨料颗粒以及胺羧酸。所述酸性化学机械抛光组合物的pH为5或更小。

1. 化学机械抛光组合物以及优先于二氧化硅抛光氮化硅并同时抑制对二氧化硅的损伤的方法 [P] . 中国专利： CN111944428A . 2020-11-17
2. 化学机械抛光二氧化硅和氮化硅的组合物和方法 [P] . 中国专利： CN100350567C . 2007.11.21
3. Chemical mechanical polishing composition and method of polishing silicon nitride over silicon dioxide and simultaneously inhibiting damage to silicon dioxide [P] . US10954411B2 . 2021-03-23

机译：二氧化硅抛光氮化硅的化学机械抛光组合物及抛光氮化硅的方法，同时抑制二氧化硅损伤
4. Chemical mechanical polishing compositions and methods having enhanced defect inhibition and selectively polishing silicon nitride over silicon dioxide in an acid environment [P] . 美国专利： US10787592B1 . 2020-09-29

机译：具有增强的缺陷抑制能力并在酸性环境中通过二氧化硅选择性抛光氮化硅的化学机械抛光组合物和方法
5. Compositions and methods for chemical mechanical polishing silicon dioxide and silicon nitride [P] . 美国专利： US2007045234A1 . 2007-03-01

机译：化学机械抛光二氧化硅和氮化硅的组合物和方法