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一种产生单一手性近场的结构及其制备方法

摘要

本发明涉及一种生单一手性近场的结构及其制备方法,结构包括基底和多个手性近场单元,所述多个手性近场单元呈周期排列设置在所述基底上;手性近场单元包括金属底板、第一金属侧板和第二金属侧板,所述金属底板设置于所述基底上,所述第一金属侧板和所述第二金属侧板设置于所述金属底板上,所述第一金属侧板与所述第二金属侧板之间具有间隙。本发明中由于金属底板抑制两金属板之间的驻波传播,在间隙内形成了陷波模式,第一金属侧臂上为正电荷,第二金属侧壁上为负电荷,所以电场和磁场的方向在间隙内不会变化,可以在间隙内产生单一手性近场。另外陷波模式会聚集大量的电磁波,产生的单一手性近场会更强。

著录项

  • 公开/公告号CN111929754A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-11-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中山科立特光电科技有限公司;

    申请/专利号CN202010840366.5

  • 发明设计人 不公告发明人;

    申请日2020-08-20

  • 分类号G02B5/00(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 528458 广东省中山市中山火炬开发区中心城区港义路创意产业园区3号商务楼附楼2501卡(集群登记、住所申报)

  • 入库时间 2023-06-19 08:53:32

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