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一种超双疏材料及其制备方法以及超双疏表面涂层的制备方法

摘要

本发明公开了一种超双疏材料及其制备方法以及超双疏表面涂层的制备方法,属于超双疏材料技术领域。其包括以下步骤:(1)将基底置于含碳源的火焰上灼烧,以在基底灼烧面聚集沉积一层碳纳米颗粒;(2)在所述碳纳米颗粒表面化学沉积一层二氧化硅壳后,再将包裹在所述二氧化硅壳内的碳纳米颗粒去除,得到空心纳米二氧化硅聚集体,经低表面能处理后,得到超双疏材料。本发明通过简单的火焰收集法即可获得具有分形结构树枝状碳纳米颗粒,并以此为模板制备出具有分形结构的空心纳米二氧化硅聚集体,方法简便,材料易得,成本低廉,透明度高。

著录项

  • 公开/公告号CN111908480A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-11-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 成都普界科技有限公司;

    申请/专利号CN202010573563.5

  • 发明设计人 邓旭;王德辉;

    申请日2020-06-22

  • 分类号C01B33/18(20060101);C09D1/00(20060101);

  • 代理机构51229 成都正华专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人李亚男

  • 地址 610041 四川省成都市高新区新雅横街5号附425号3楼

  • 入库时间 2023-06-19 08:50:28

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