提高晶硅表层掺磷、掺硼激活率的热扩散方法

摘要

一种提高晶硅表层掺磷、掺硼激活率的热扩散方法，包括以下步骤：在热扩散过程中，通过降低扩入晶硅表层时的磷杂质原子或硼杂质原子的浓度至与所述晶硅表层所需的激活掺杂浓度一致，从而提高掺杂激活率；其中，所述掺杂激活率定义为在同一面积内的替位掺杂离子面密度与相同杂质原子总掺入面密度之比，所述面密度为浓度随深度的积分。本发明的方法能够使间隙杂质浓度和面密度降到最低，掺杂激活率提到最高，有助于提高晶硅半导体材料及其pn结质量，有助于提高晶硅电池的光电转换效率。