一种表征射频离子源离子束特性的测量方法

摘要

本发明涉及一种表征射频离子源离子束特性的测量方法，所述方法包括S1、真空腔室内固定硅片并将稳定后的离子束垂直投射于硅片上即α＝0；S2、调整离子束引出端面与硅片之间的距离WD以调整形成于硅片上的束斑，并据此束斑分析离子束形态为聚焦离子束或平行离子束；S3、获取离子束投射于硅片上形成的束斑面形PV值，利用MetroPro软件分析计算束斑直径；S4、测量束斑的长半轴a和短半轴b，并据二者比值a/b大小确定束斑形状为圆形光斑或椭圆形光斑。本发明能够直观反应离子束形态、束径大小以及束斑形状，便于准确分析离子束特性，对后期工艺实验提供了指导依据。