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公开/公告号CN111883610A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-03
原文格式PDF
申请/专利权人 天津爱旭太阳能科技有限公司;
申请/专利号CN202010516396.0
发明设计人 赵小平;杨二存;夏利鹏;高丽丽;刘海泉;刘浩东;郭星妙;
申请日2020-06-09
分类号H01L31/18(20060101);H01L31/0352(20060101);
代理机构44104 广州知友专利商标代理有限公司;
代理人高文龙
地址 300400 天津市北辰区经济技术开发区科技园高新大道与景通路交口东北侧
入库时间 2023-06-19 08:47:24
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-10-28
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L31/18 专利申请号:2020105163960 申请公布日:20201103
发明专利申请公布后的驳回
机译: 掺Si的GaAs单晶硅片及其制备方法,以及掺Si的GaAs单晶硅片由Si掺杂的GaAs单晶硅片制成
机译: 单晶硅片切割方法,单晶硅片,光伏组件及制备方法
机译: N型/ P型单晶硅片
机译:利用旋涂掺杂法在p型硅片上制备n〜+发射极
机译:单晶直拉硅片中丝网印刷发射极对铁的磷吸收
机译:P型单晶全铝背面场和钝化发射极电池中光诱导降解和再生的比较
机译:P型直拉硅片上激光掺杂选择性发射极太阳能电池的工艺优化和器件表征
机译:优化用于热光电应用的超材料选择性发射极。
机译:一种基于选择性激光烧结的新型高性能碳纤维/聚酰胺12 /环氧三元复合材料的制备方法
机译:p型IBC c-Si太阳能电池通过激光掺杂技术处理的基极和选择性发射极
机译:用固态单晶生长(ssCG)技术开发n型和p型掺杂钙钛矿单晶。