退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN111855585A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-30
原文格式PDF
申请/专利权人 上海交通大学;浙江大学;
申请/专利号CN202010644337.1
发明设计人 邢晖;唐国雄;许祝安;
申请日2020-07-07
分类号G01N21/21(20060101);
代理机构31227 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司;
代理人王一琦
地址 200240 上海市闵行区东川路800号
入库时间 2023-06-19 08:44:14
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-08-15
授权
发明专利权授予
机译: 选择具有半导体晶体取向的平面型基板,该半导体晶体取向是通过堆叠条件模板层的局部非晶转化而形成的,并进行重结晶
机译: 多个非晶人工晶格膜,磁头和多个非晶人工晶格膜的制造
机译: 确定多晶材料中微晶的伸长量,晶格参数和/或取向矩阵涉及基于原子位置使用待测微晶和参考微晶的图像
机译:中心对称温度场对非晶Ga钴膜畴结构的影响
机译:中心对称温度场对非晶amorphous钴膜畴结构的影响
机译:溶胶-凝胶pH值对纳米晶Pb_(1.1)(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3的XRD峰展宽,晶格应变,铁电畴取向和光学带隙的影响
机译:纳米晶硅超晶格中硅纳米晶的拉曼光谱:尺寸,形状和晶体学取向
机译:将III-V型半导体的非中心对称晶体结构纳入新型光电器件的设计中。
机译:晶畴工程弛豫-PT单晶中损耗的晶体学依赖性
机译:在单斜晶铁电畴边界处的晶格旋转涡旋 在弛豫铁电晶体中
机译:使用人工表面浮雕光栅和激光结晶的硅在非晶基底上的晶体取向