基于DBR的量子点谐振腔器件及制备方法

摘要

本公开提供一种基于DBR的量子点谐振腔器件，包括：衬底；缓冲层，位于所述衬底的上；电流扩散层，位于所述缓冲层上；多孔DBR层，位于所述n‑GaN电流扩散层上，作为谐振腔底部反射镜；相位调整层，位于所述多孔DBR层上，用于调整谐振腔内部电场分布，增大谐振腔的谐振效果；量子点有源层，位于所述相位调整层上；量子点保护层，位于所述量子点有源层上；以及介质层，多周期结构，位于所述量子点保护层上，作为谐振腔顶部反射镜。