法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-04-15
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/092 专利申请号:2020101991204 申请日:20200320
实质审查的生效
机译: 用于动态随机存取存储器(DRAM)的混合存储单元,包含具有晶体管结构的特定基板,该晶体管结构具有漏极,源极,控制触点以及漏极和源极之间的沟道区等
机译: 用作横向扩散金属氧化物半导体晶体管的半导体结构包括具有源极和漏极区域,在源极和漏极区域之间的沟道区域以及在漏极部分之间的过渡上方的场板的衬底
机译: 具有源极/漏极扩展区的场效应晶体管的制造和结构,该源极/漏极扩展区的局部浓度最多可达到几个