公开/公告号CN111739673A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-02
原文格式PDF
申请/专利权人 中国原子能科学研究院;
申请/专利号CN202010396459.3
申请日2020-05-12
分类号G21F9/02(20060101);G21C17/00(20060101);
代理机构11311 北京天悦专利代理事务所(普通合伙);
代理人任晓航;文永明
地址 102413 北京市房山区新镇三强路1号院
入库时间 2023-06-19 08:27:06
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-11-25
授权
发明专利权授予
机译: 在极端干燥的氧气气氛中或在添加氯化氢气体的氧气气氛中,在由硅或另一种可氧化材料组成的基板晶片上制造氧化物层的方法
机译: 各向异性有机硅聚合物膜,制备所述膜的方法以及富集包含氧气,氮,氢,二氧化碳,二氧化碳,二氧化氦,甲烷和二氧化碳的至少一种气体混合物的至少一种组分的方法。
机译: 通过在低氧气氛中至少一种和元素Mo进行热处理,并制备含有Cu和V元素Nb和W的催化活性宽元素氧化物材料